[发明专利]摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法无效
申请号: | 201410557067.5 | 申请日: | 2014-10-20 |
公开(公告)号: | CN104266859A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 李朝玲 | 申请(专利权)人: | 三星高新电机(天津)有限公司 |
主分类号: | G01N1/02 | 分类号: | G01N1/02;G01N23/00 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 韩新城 |
地址: | 300385 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像头 微米 异物 提取 装置 分析 方法 | ||
技术领域
本发明属于微米级异物提取技术领域,具体涉及一种摄像头内微米级异物提取装置及提取分析方法。
背景技术
目前,随着制造技术的日臻完善以及市场需求,摄像头的更新速度不断加快,像素越来越高,制品向着精密化方向发展。因此,摄像头中异物控制要求也越来越严格,微米级异物对摄像头品质的影响已经成为主流。
由于EDS成分分析时电子束存在一定的击穿深度,而异物尺寸较小,因此分析结果中会包含大量的基底(如传感器Sensor,红外滤光片IR-Fliter)等信息,或者用毛细管拉制的玻璃针,成分与异物成分存在较多重合元素,不能准确判定异物成分从而推测其来源,成为指导工程改善的一大壁垒。目前,还没有分析微米级异物成分的方法。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷而提供一种摄像头内微米级异物提取装置以及提取分析方法。
为实现本发明的目的所采用的技术方案是:
一种摄像头内微米级异物提取装置,包括提取装置以及固定于所述提取装置上的钨针,所述钨针的尖端曲率半径为90~110nm。
作为技术上的改进,所述钨针的尖端曲率半径为100nm。
优选的,所述钨针的纯度为99.99%,
本发明的目的还在于提供一种摄像头内微米级异物提取分析方法,采用所述摄像头内微米级异物提取装置进行,具体包括以下步骤:
在金相显微镜下,利用物理吸附法用所述摄像头内微米级异物提取装置对摄像头内微米级异物进行提取;
将表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM样品台上进行喷金处理;
将喷金处理后表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM设备中;
利用X-射线能谱仪EDS对异物进行成分分析,将结果中W元素扣除,得到真实的异物成分。
本发明摄像头内微米级异物提取装置由于采用钨针,不但能利用物理吸附原理有效吸附待分析的异物,而且由于钨针的钨元素与异物成分不同,因而能有效将提取吸附分析过程中混杂其中的钨元素与异物中的成分区别开来,因而可以实现将EDS分析时的基底信息完全扣除,更能有效得到真实异物成分结果,其可以方便、快速、准确地测定摄像头内异物成分,推测出异物源,指导工程改善,保证所生产的摄像头组立品洁净度满足实际使用需要,进而保证所生产的制品的品质。
附图说明
图1所示为本发明实施例提供的一种摄像头内微米级异物提取装置的结构示意图;
图2A为待提取异物在摄像头传感器(Sensor)上的电子图像;
图2B为将异物提取到钨针上的电子图像;
图3为将吸附有异物的钨针置于SEM中进行EDS分析的电子图像。
具体实施方式
下面,结合实例对本发明的实质性特点和优势作进一步的说明,但本发明并不局限于所列的实施例。
请参阅图1,一种摄像头内微米级异物提取装置,包括提取装置20以及固定于所述提取装置上的钨针10,所述钨针的尖端曲率半径为90~110nm。
所述的提取装置20为市购器件,对此不再进行详细说明。
作为技术上的改进,所述钨针的尖端曲率半径为100nm。
优选的,所述钨针可以采用电化学腐蚀原理制备,要求纯度达到99.99%,具体可以利用电化学腐蚀纯度为99.99%的钨丝方法制备,制备完成后固定在提取装置20上,并保证其稳定,以便在异物提取过程中不发生晃动。由于钨针半径和提取装置20的安装孔的内径存在一定差异,两者之间用双面胶固定,保证钨针在提取装置20中的稳定性。
本发明的目的还在于提供一种摄像头内微米级异物提取分析方法,采用所述摄像头内微米级异物提取装置进行,具体包括以下步骤:
在金相显微镜下,利用物理吸附法用所述摄像头内微米级异物提取装置对摄像头内微米级异物进行,使异物吸附在钨针表面;
将表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM样品台上,并保持吸附异物的方向垂直向上后进行喷金处理;
将喷金处理后表面吸附异物的钨针置于扫描电镜SEM设备中,找到异物;
利用X-射线能谱仪EDS对异物进行成分分析,将结果中W元素扣除,得到真实的异物成分,并推测异物成分来源。
通过图2A-B所示,在金相显微镜下对摄像头传感器(Sensor)上的异物进行提取,并在利用X-射线能谱仪(EDS)对异物进行成分分析,分析结果如下:
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