[发明专利]薄膜晶体管基板及包含其的显示设备有效
| 申请号： | 201410557303.3 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105590935B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 沈义和;张荣芳 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 包含 显示 设备 | ||
1.一种薄膜晶体管基板，包括：
一基层；
一半导体层，设置于该基层上；
一源极电极与一漏极电极，设置于该半导体层上；以及
一栅极电极，设置于该半导体层上；
其中，该半导体层包含一第一区、一第二区及一第三区，该第一区对应该栅极电极，该第二区对应该源极电极，以及该第三区对应该漏极电极，
其中，该第一区具有一第一厚度，该第二区具有一第二厚度，该第三区具有一第三厚度，且该第一厚度大于该第二厚度或该第三厚度。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该第二厚度或该第三厚度为该第一厚度的1％至50％。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层还包括一第四区，位于该第一区及该第二区之间，该第四区具有一第四厚度，且该第四厚度介于该第一厚度及该第二厚度之间。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，该第二厚度为该第四厚度的1％至50％。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层还包括一第五区，位于该第一区及该第三区之间，该第五区具有一第五厚度，且该第五厚度介于该第一厚度及该第三厚度之间。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，该第三厚度为该第五厚度的1％至50％。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该第二区具有一第一侧及相对的一第二侧，该第一侧邻近该第一区；以及
该半导体层还包括一第六区，其邻近该第二区的该第二侧，该第六区具有一第六厚度，且该第六厚度介于该第一厚度及该第二厚度之间。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该第三区具有一第一侧及相对的一第二侧，该第一侧邻近该第一区；以及
该半导体层还包括一第七区，其邻近该第三区的该第二侧，该第七区具有一第七厚度，且该第七厚度介于该第一厚度及该第三厚度之间。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其是为一上栅极式薄膜晶体管基板。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层是氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、或其他金属氧化物半导体。
11.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层是非晶硅、多晶硅、或结晶硅。
12.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该半导体层是P13、DH4T、或五苯环的有机半导体。
13.一种显示设备，包括：
该如权利要求1所述的薄膜晶体管基板；
一对侧基板，设置于该薄膜晶体管基板上；以及
一显示单元，设置于该薄膜晶体管基板与该对侧基板之间。
14.如权利要求13所述的显示设备，其是为一有机发光二极管装置或一液晶显示设备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
