[发明专利]薄膜晶体管基板及包含其的显示设备

说明书

本发明是有关于一种薄膜晶体管基板，包括：一基层；一半导体层，设置于该基层上；一源极电极与一漏极电极，设置于该半导体层上；以及一栅极电极，设置于该基层上并对应该半导体层；其中，该半导体层包含一第一区、一第二区及一第三区，该第一区是对应该栅极电极，该第二区是对应该源极电极，以及该第三区是对应该漏极电极，其中，该第一区具有一第一厚度，该第二区具有一第二厚度，该第三区具有一第三厚度，且该第一厚度大于该第二厚度或该第三厚度。

技术领域

本发明是关于一种薄膜晶体管基板及包含其的显示设备，尤指一种能够降低源极电极与栅极电极至载子通道区间串联阻抗的薄膜晶体管基板及包含其的显示设备。

背景技术

随着显示器技术不断进步，用户对于电子产品的要求越来越高，所有的装置均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成液晶显示设备(LCD)或有机发光二极管装置(OLED)。

常见的薄膜晶体管分为上栅极结构与下栅极结构两种，上栅极式氧化物半导体薄膜晶体管(Top Gate Oxide Semiconductor TFT)与下栅极式氧化物半导体薄膜晶体管(Bottom Gate Oxide Semiconductor TFT)相比，上栅极结构的优点在于：能够减少薄膜晶体管组件尺寸，以增加显示器的分辨率；以及能够减少栅极电极金属与源极电极、漏极电极金属间的寄生电容，以减少显示器操作时发生信号失真的现象。

然而，于上栅极结构中，源极电极与门极电极至载子通道区(Channel)间的串联阻抗过高，将会造成薄膜晶体管组件的开通电流(On Current)下降，进而导致面板电容充电不足、功耗过高等问题。

有鉴于此，目前亟需发展一种改善上述问题的薄膜晶体管基板，使包含其的显示设备可具备更稳定的使用质量以及较长的使用寿命。

发明内容

本发明的主要目的是在提供一种薄膜晶体管基板，能降低源极电极与栅极电极至载子通道区间串联阻抗。

本发明的另一目的是在提供一种显示设备，能解决面板电容充电不足、功耗过高等问题。

为达成上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管基板及包含其的显示设备，该薄膜晶体管基板包括：一基层；一半导体层，设置于该基层上；一源极电极与一漏极电极，设置于该半导体层上；以及一栅极电极，设置于该基层上并对应该半导体层；其中，该半导体层包含一第一区、一第二区及一第三区，该第一区是对应该栅极电极，该第二区是对应该源极电极，以及该第三区是对应该漏极电极，其中，该第一区具有一第一厚度，该第二区具有一第二厚度，该第三区具有一第三厚度，且该第一厚度大于该第二厚度或该第三厚度。

于本发明的薄膜晶体管基板中，该第二厚度或该第三厚度可为该第一厚度的1％至50％。

于本发明的薄膜晶体管基板中，该半导体层可还包括一第四区，位于该第一区及该第二区之间，该第四区具有一第四厚度，且该第四厚度是介于该第一厚度及该第二厚度之间。该第二厚度可为该第四厚度的1％至50％。

于本发明的薄膜晶体管基板中，该半导体层可还包括一第五区，位于该第一区及该第三区之间，该第五区具有一第五厚度，且该第五厚度是介于该第一厚度及该第三厚度之间。该第三厚度可为该第五厚度的1％至50％。

于本发明的薄膜晶体管基板中，该第二区具有一第一侧及相对的一第二侧，该第一侧邻近该第一区；以及该半导体层可还包括一第六区，其邻近该第二区的该第二侧，该第六区具有一第六厚度，且该第六厚度介于该第一厚度及该第二厚度之间。

于本发明的薄膜晶体管基板中，该第三区具有一第一侧及相对的一第二侧，该第一侧邻近该第一区；以及该半导体层还包括一第七区，其邻近该第三区的该第二侧，该第七区具有一第七厚度，且该第七厚度介于该第一厚度及该第三厚度之间。