[发明专利]晶体生长炉温场用氧化铝空心球砖的制备方法有效
申请号: | 201410557975.4 | 申请日: | 2014-10-20 |
公开(公告)号: | CN104387030A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 李佼;柳祝平;黄小卫 | 申请(专利权)人: | 元亮科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/66 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214037 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体生长 炉温 氧化铝 空心球 制备 方法 | ||
1.晶体生长炉温场用氧化铝空心球砖的制备方法,其特征是按重量份计步骤为:
(1)混料:取60-70份的氧化铝空心球、25-35份α-氧化铝微粉,5-15份黄糊精细粉,用混料机先将氧化铝空心球混合均匀,然后加入α-氧化铝微粉和黄糊精细粉,干混4-5min后采用喷淋法加入水,水和物料的比例为1:3-5,湿混8-10min;
(2)成型:将步骤(1)所得混合物加入隔板模具中,采用震动加压法室温加压成型,成型压力10-15MPa,振动频率4-10次/s,脱模后得到氧化铝空心球砖初品;
(3)干燥:将脱模后的氧化铝空心球砖初品经过100-150℃下烘干35-50h,去除其中的水分;
(4)烧成:将干燥的氧化铝空心球砖初品装窑,装窑高度为0.3-0.6m;首先用4-6h升温至300-450℃,然后恒温烧制1-2h,然后用3-4h升温至1000-1100℃,最后用6-9h升温至1750℃,恒温烧制5-8h后停止加热,利用窑炉余温保持高温,并自然降温,即得氧化铝空心球砖。
2.如权利要求1所述晶体生长炉温场用氧化铝空心球砖的制备方法,其特征是:所述氧化铝空心球的Al2O3含量大于99%,粒径规格分别为Φ2-3mm、1-2mm、0.5-1mm,三者按重量份计比例依次为50-60份、25-35份、10-20份。
3.如权利要求1所述晶体生长炉温场用氧化铝空心球砖的制备方法,其特征是:所述α-氧化铝微粉中Al2O3含量大于99.99%,分为325目和小于150目两种规格,两者按重量份计比例依次为60-70份、30-40份。
4.如权利要求1所述晶体生长炉温场用氧化铝空心球砖的制备方法,其特征是:所述黄糊精细粉的粒径小于325目。
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