[发明专利]开关电路和半导体模块

权利要求书

1.一种高频模块，该高频模块包括：

开关电路；

具有与所述开关电路连接的输入端的低噪声放大器；

具有与所述开关电路连接的输出端的功率放大器；以及

开关元件，该开关元件对是否将所述低噪声放大器的所述输入端与所述低噪声放大器的输出端短接进行切换，其特征在于，

所述开关电路包括：

第1至第N+1输入输出端子；以及

分别具有栅极端、源极端和漏极端的第1至第N场效应晶体管，

其中，N为2以上的整数，

在将所述源极端和所述漏极端中的某一个称为第1端，另一个称为第2端时，

所述第1输入输出端子与所述第1至第N场效应晶体管中所有的所述第1端电连接，

对于1到N中各整数i，第i场效应晶体管的所述第2端与第i+1输入输出端子电连接，

对于1到N中至少任意一个整数j，

电感器分量和电阻分量以串联方式电连接而成的电路以与第j场效应晶体管并联的方式电连接在第j场效应晶体管的所述第1端和所述第2端之间，

所述低噪声放大器的所述输入端与所述第j场效应晶体管的所述第2端连接，

所述功率放大器的所述输出端与所述第j+1场效应晶体管的所述第2端连接，

在所述开关元件将所述低噪声放大器的所述输入端与所述低噪声放大器的所述输出端短接的情况下，从所述第j场效应晶体管的所述第2端输出的信号绕过所述低噪声放大器。

2.如权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述开关电路与所述低噪声放大器及所述功率放大器中的至少一方形成为一体。

3.如权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

在所述开关电路中，

对于1到N中的各整数k，

电感器分量和电阻分量以串联方式电连接而成的电路以与第k场效应晶体管并联的方式电连接在第k场效应晶体管的所述第1端和所述第2端之间。

4.如权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

在所述开关电路中，

对于1到N中至少任意一个整数m，

第m场效应晶体管在所述第1端与所述第2端之间包含有多个场效应晶体管元件，该多个场效应晶体管元件分别具有独立栅极端，且以串联方式电连接，

从所述第m场效应晶体管的所述栅极端向所述多个场效应晶体管元件各自的所述独立栅极端提供公共的偏置电压。

5.一种半导体模块，其特征在于，

在一个半导体基板上形成有权利要求1至4的任一项所述的高频模块的所有的结构要素。

6.如权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，

所述电感器分量是形成在所述半导体基板上的螺旋电感器。

7.如权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，

所述电感器分量是由形成在所述半导体基板上的螺旋电感器得到的电感器分量，所述电阻分量是由所述螺旋电感器的线路电阻得到的电阻分量。

8.如权利要求6或7所述的半导体模块，其特征在于，

所述螺旋电感器的线路宽度在5μm以下。

9.如权利要求6或7的任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述螺旋电感器的线路厚度在2μm以下。