[发明专利]开关电路和半导体模块

说明书

本发明提供一种不易受到谐振频率的影响、且能够抑制隔离特性的变动的开关电路和半导体模块。开关电路(504)包括第1至第N+1输入输出端子(T1～T(N+1))、以及第1至第N FET(10₁～10_N)，其中，N为2以上的整数，在将源极端和漏极端中的某一端称为第1端，另一端称为第2端时，第1输入输出端子(T1)与第1至第N FET(10₁～10_N)中所有的第1端电连接。对于1到N中各整数i，第iFET的第2端与第i+1输入输出端子电连接。对于1到N中至少任一个整数j，电感器分量和电阻分量以串联方式电连接而得到的电路以与第j FET并联的方式电连接在第j FET的第1端与第2端之间。

技术领域

本发明涉及开关电路和半导体模块。

背景技术

高频开关是用于切换高频信号的传输路径的开关。例如，在移动电话或无线LAN(Local Area Network：局域网)等这样的无线通信设备中，高频开关使用于切换各频带(Band)、或者相互切换发送信号的传输路径和接收信号的传输路径。

例如在日本专利特开平9-107203号公报(专利文献1)中公开了SPDT(Single PoleDouble Throw：单刀双掷)开关电路。该开关电路的目的在于能够在规定的频率下得到较高的隔离度。该开关电路对从输入输出端子向接收端子传输信号的第1传输路径、以及从发送端子向输入输出端子传输信号的第2传输路径进行切换。该开关电路包括设置于发送端子和接收端子之间的电感器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平9-107203号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

根据专利文献1，FET(场效应晶体管)所具有的寄生电容与电感器构成谐振电路。谐振电路的谐振频率设定为使用频率。由此，在该使用频率下，可期待实现较高的隔离度。

然而，开关电路的隔离度越高，在包含其使用频率在内的规定的频带中，隔离度的偏差越大。谐振频率因电感值的偏差、或FET的寄生电容的偏差这些主要原因而发生变动。因此，若隔离度的偏差较大，则由于谐振频率的变动，可能会产生以下问题：具有相同结构的多个开关电路之间的隔离特性出现较大的偏差。

因此，本发明的目的在于提供一种不易受到谐振频率的影响、且能够抑制隔离特性的变动的开关电路以及具备该开关电路的半导体模块。

解决技术问题所采用的技术方案

为了实现上述目的，基于本发明的开关电路包括：第1至第N+1输入输出端子；以及分别具有栅极端、源极端和漏极端的第1至第N场效应晶体管，其中，N为2以上的整数，在将所述源极端和所述漏极端中的某一个称为第1端，另一个称为第2端时，所述第1输入输出端子与所述第1至第N场效应晶体管中所有的所述第1端电连接，对于1到N中各整数i，第i场效应晶体管的所述第2端与第i+1输入输出端子电连接，对于1到N中至少任意一个整数j，电感器分量和电阻分量以串联方式电连接而成的电路以与第j场效应晶体管并联的方式电连接在第j场效应晶体管的所述第1端和所述第2端之间。

发明效果

根据本发明，能够实现不易受到谐振频率的影响、且能够抑制隔离特性的变动的开关电路。

附图说明

图1是表示基于本发明的实施方式1的开关电路的基本结构的电路图。

图2是基于本发明的实施方式1的开关电路中形成有第2传输路径的状态下的等效电路图。

图3是将基于本发明的实施方式1的开关电路的隔离特性与使用贴片电感器的现有技术的开关电路的隔离特性进行对比来表示的曲线图。