[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底，且该基底具有一介电层；

形成一铝金属层于该介电层上；

形成一铂金属层于该铝金属层上；

以该铝金属层作为蚀刻停止层进行一第一蚀刻制作工艺，去除部分该铂金属层及部分该铝金属层以形成一图案化的铂金属层；以及

以该图案化的铂金属层为蚀刻掩模进行一第二蚀刻制作工艺，去除部分由该图案化的铂金属层所暴露出的铝金属层及部分该介电层。

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

形成一阻障层于该铝金属层上；

形成该铂金属层于该阻障层上；

进行该第一蚀刻制作工艺去除部分该铂金属层、部分该阻障层及部分该铝金属层以形成该图案化的铂金属层与一图案化的阻障层；以及

进行该第二蚀刻制作工艺去除部分由该图案化的铂金属层所暴露出的铝金属层及部分该介电层。

3.如权利要求2所述的方法，其中该阻障层选自由钛、氮化钛、钽及氮化钽所构成的群组。

4.如权利要求1所述的方法，还包含利用一气体进行该第一蚀刻制作工艺，该气体选自由氯气(Cl₂)及三氟甲烷(CHF₃)所构成的群组。

5.如权利要求1所述的方法，还包含利用一气体进行该第二蚀刻制作工艺，该气体选自由氯气(Cl₂)及三氯化硼(BCl₃)所构成的群组。

6.如权利要求1所述的方法，其中该基底包含一导电堆叠层设于该介电层下方。

7.如权利要求1所述的方法，其中该介电层包含氧化硅。

8.一种半导体元件，包含：

基底，该基底具有一介电层；

铝金属层设于该介电层上；

铂金属层设于该铝金属层上，该铂金属层与该铝金属层具有相同的图案；以及

多个开口，贯穿该铂金属层、该铝金属层以及部分该介电层，其中该多个开口贯穿该铂金属层的部分是通过以该铝金属层作为蚀刻停止层的第一蚀刻制作工艺形成，且该多个开口贯穿该铝金属层的部分是通过以该铂金属层作为蚀刻掩模的第二蚀刻制作工艺形成。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包含一阻障层，于铝金属层及铂金属层之间。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该阻障层选自由钛、氮化钛、钽及氮化钽所构成的群组。

11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该铂金属层及该铝金属层直接接触该阻障层。

12.如权利要求8所述的半导体元件，还包含一导电堆叠层，设于该介电层下方。

13.如权利要求8所述的半导体元件，其中该介电层包含氧化硅。

14.如权利要求8所述的半导体元件，其中该铂金属层直接接触该铝金属层。

15.如权利要求8所述的半导体元件，其中该铝金属层相对于铂金属层的厚度比大于30％。