[发明专利]防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410562181.7 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104505366A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 范俊;黄小花;王晔晔;沈建树;翟玲玲;钱静娴 | 申请（专利权）人： | 华天科技（昆山）电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德;段新颖 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 硅通深孔 侧壁 刻蚀 底部 方法 | ||
1.一种防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，其特征在于：包括如下步骤：
a、准备包含若干个芯片单元的晶圆，设该晶圆的功能面为正面，所述功能面具有PIN脚(3)和晶圆氧化层(2)；
b、对晶圆背面的硅基板(1)进行减薄；
c、在晶圆背面的硅基板上覆盖一层钝化层(4)，并在该钝化层上形成与功能面内的PIN脚位置对应的第一开口；
d、在晶圆背面的硅基板上的第一开口位置刻蚀形成深径比大于等于2：1的深孔(7)，并使深孔的孔底暴露出晶圆正面的晶圆氧化层；
e、在钝化层表面和深孔内覆盖一层绝缘层(5)；
f、在步骤e后的深孔外的绝缘层的表面上覆盖一层干膜(6)；
g、在步骤f后的干膜上形成与深孔位置对应的第二开口(8)；
h、刻蚀步骤g后的深孔孔底的绝缘层和晶圆氧化层，并暴露出PIN脚；
i、去除步骤h后的干膜；
j、在步骤i后的绝缘层表面和深孔内依次覆盖金属线路层(10)和用于保护金属线路层的保护层(11)；
k、在步骤j后的保护层上开口，并在开口后的金属线路层上植球，形成焊料凸点(12)；
l、切割步骤k后晶圆，形成单颗封装芯片。
2.根据权利要求1所述的防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，其特征在于：在步骤a中，所述芯片单元为感光芯片或由模拟电路、数字电路组成的集成电路的电子元件，所述芯片单元为感光芯片时，所述晶圆的功能面设有保护盖板。
3.根据权利要求1所述的防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，其特征在于：在步骤g中，所述第二开口的直径小于所述深孔的直径。
4.根据权利要求1所述的防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，其特征在于：所述深孔的形成方式为干法刻蚀或湿法刻蚀。
5.根据权利要求1所述的防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，其特征在于：对晶圆背面的硅基板进行减薄的方式为研磨或刻蚀。
6.根据权利要求1所述的防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，其特征在于：在步骤c中，通过曝光显影工艺，在钝化层上对应晶圆正面PIN脚位置处形成第一开口。
7.根据权利要求1所述的防止硅通深孔侧壁刻蚀的底部刻蚀方法，其特征在于：在步骤g中，通过曝光显影工艺，在绝缘层上对应深孔位置处形成第二开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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