[发明专利]防尘薄膜组件有效
申请号: | 201410562748.0 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104570590B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 关原一敏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防尘 薄膜 组件 | ||
本发明的目的,是提供一种利用减小了宽度的框架来确保更大的曝光面积,并且在防尘薄膜组件的制作、运输过程中不发生框架的变形及起皱问题,从而能够以所期望的尺寸精度将防尘薄膜粘贴于光掩模上的防尘薄膜组件。本发明的防尘薄膜组件的特征在于,其为至少一对边长是大于500mm的矩形的防尘薄膜组件,在至少一对相对边的以边长的40~80%的边中心为中心的区域,该框架的宽度通过使框架的内侧壁凹陷而变细,并且该变细的区域的框架宽度为3mm以上6mm以下。
技术领域
本发明涉及作为在制造半导体器件、IC封装、印刷电路板、液晶显示器或有机EL显示器等时的防尘器使用的防尘薄膜组件,涉及其边长大于500mm的大型防尘薄膜组件。
背景技术
在LSI、超LSI等的半导体或液晶显示器等的制造过程中,通过向半导体晶片或液晶用玻璃板上照射紫外线光来制作图案,但此时存在一个问题,即如果在所使用的光掩模上附着有灰尘的话,由于这种灰尘遮挡或反射紫外线光,会导致转印的图案发生变形或短路,从而使质量受损。
由于这个缘故,这些作业通常是在无尘室内进行的,但尽管如此,要保持光掩模时常清洁也是困难的。因此,通常是在光掩模的表面粘贴一个作为防尘器的防尘薄膜组件之后进行曝光。这种情况下,异物不直接附着于光掩模的表面而是附着于防尘薄膜组件上,所以,在进行光刻时只要把焦点对准光掩模的图案上,防尘薄膜组件上的异物便与转印无关。
一般而言,上述防尘薄膜组件通过在由铝、不锈钢等构成的框架的上端表面上粘贴或胶合由透光性良好的硝化纤维素、醋酸纤维素或氟树脂等构成的透明的防尘薄膜而构成,在框架的下端表面设有用于安装于光掩模的由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯树脂、丙烯酸树脂、有机硅树脂等构成的粘合层及以保护粘合层为目的的离型层(分离层)。
因为防尘薄膜通常为薄树脂,所以为了将其不产生松弛地粘贴并支撑于框架上,将对框架施加适当大小的张力。因此,对于通常所使用的矩形防尘薄膜组件而言,粘贴了防尘薄膜之后的框架,会因防尘薄膜的张力作用略微产生向内侧的翘曲。这种现象,除了在例如印刷电路板、液晶显示器制造中所使用的框架边长大的大型防尘薄膜组件以外,即使在半导体制造用的小型防尘薄膜组件中,由于材质或尺寸上的限制而采用低刚性的框架的防尘薄膜组件的情况下也很明显。
另一方面,对于光掩模而言,出于低成本化的目的,要求尽可能确保曝光的区域,若不尽可能地减小如上所述的向框架内侧的翘曲,则存在可利用的曝光区域减小的问题。因此,若能够开发一种尽可能抑制翘曲量并且宽度更窄的框架使内侧的可曝光面积扩大的话,成本降低效果必定很大。
然而,在实际当中,光掩模及防尘薄膜组件的外尺寸是根据曝光机而规定了的。例如,防尘薄膜组件的外形一般从光掩模的外形扣除光掩模的支撑区域、操作时所使用的区域等,设计为距外尺寸5~30mm左右被内侧的尺寸。这样的设计不仅是考虑曝光机,而是以检验机和防尘薄膜组件安装装置等与曝光工序相关的所有装置的设计为前提的,因此,要变更这种设计实际上很困难。
因此,一直以来,人们一直在努力探讨实现更大的曝光区域的办法。例如,专利文献1中记载了一种使短边的框架宽度比长边细的大型防尘薄膜组件用框体,不过,在例如边长超过1000mm的特大型的框架的情况下,由于该框体难于维持刚性,故存在不能适用于大型框架的问题。另外,这中框体虽然可适用于短边,但对于长边,由于框架发生翘曲无法使其变细,因此存在无法向短边方向扩大曝光区域的问题。
作为解决这种翘曲的方法,例如,专利文献2中记载了一种如下的防尘薄膜组件框架,即,在框体的至少一对的边上,具有中央部向外侧凸出的圆弧形状部,在其两侧具有外侧凹陷的圆弧形状部,再往外侧具有直线形状部。据说通过这种形状的防尘薄膜组件框架,能够防止由防尘薄膜的张力引起的向框架内侧的翘曲,进而可防止曝光区域的减小,不过,这个效果仅仅限于能够通过适当的设计而将防尘薄膜组件框架的翘曲量控制在一定值以下的情况。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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