[发明专利]共模滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种共模滤波器，包括：

磁性基板；

第一线圈电极，所述第一线圈电极形成在所述磁性基板上；

第一铅电极，所述第一铅电极形成在所述磁性基板上以与所述第一线圈电极的端部连接；

第一介电层，所述第一介电层形成在所述磁性基板上以覆盖所述第一线圈电极的上表面和所述第一铅电极的上表面；

高度补偿电极，所述高度补偿电极形成在所述第一铅电极的上表面上，以便补偿所述第一介电层与所述第一铅电极之间的高度差；

第二线圈电极，所述第二线圈电极形成在所述第一介电层上以与所述第一线圈电极电连接；

第二铅电极，所述第二铅电极形成在所述第一介电层上以与所述第二线圈电极的端部连接并与所述高度补偿电极的上表面接触；

第二介电层，所述第二介电层形成在所述第一介电层上以覆盖所述第二线圈电极的上表面和所述第二铅电极的上表面；以及

外部电极，所述外部电极形成在所述第二介电层上以与所述第二铅电极电连接，

其中，所述第二铅电极定位在比所述第一铅电极更内部的位置处。

2.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述第一介电层中形成有凹槽，以允许所述第一铅电极暴露，并且所述高度补偿电极形成在所述凹槽中。

3.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述高度补偿电极和所述第二铅电极整体形成。

4.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述高度补偿电极的截面面积小于所述第一铅电极的截面面积。

5.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述第一铅电极布置在所述磁性基板上的角部附近。

6.根据权利要求1所述的共模滤波器，所述共模滤波器还包括形成在所述第二介电层上的磁性层。

7.根据权利要求1所述的共模滤波器，所述共模滤波器还包括介于所述磁性基板与所述第一介电层之间的介电涂层。

8.一种用于制造共模滤波器的方法，所述方法包括：

在磁性基板上形成第一线圈电极；

在所述磁性基板上形成第一铅电极，所述第一铅电极与所述第一线圈电极的端部连接；

形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述第一线圈电极的上表面和所述第一铅电极的上表面；

在所述第一介电层中形成凹槽，以允许所述第一铅电极暴露；

在所述第一介电层上形成第二线圈电极，所述第二线圈电极与所述第一线圈电极电连接；

在所述凹槽中形成高度补偿电极，以便补偿所述第一介电层与所述第一铅电极之间的高度差；

在所述第一介电层上形成第二铅电极，所述第二铅电极与所述第二线圈电极的端部连接并且所述第二铅电极与所述高度补偿电极的上表面接触；

在所述第一介电层上形成第二介电层，所述第二介电层覆盖所述第二线圈电极的上表面和所述第二铅电极的上表面；以及

在所述第二介电层上形成外部电极，所述外部电极与所述第二铅电极电连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二铅电极与所述高度补偿电极同时形成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述高度补偿电极和所述第二铅电极的步骤包括：

在所述凹槽中并且在所述第一介电层上形成抗蚀层；

形成开口，所述开口构造成使所述凹槽的内部暴露并使所述第一介电层的与所述高度补偿电极和所述第二铅电极的位置对应的部分暴露；

在所述开口中形成导电层；以及

移除所述抗蚀层。

11.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括在形成所述抗蚀层的步骤之前形成籽晶层的步骤，并且

其中，在形成所述导电层的步骤中，所述导电层通过镀覆所述籽晶层而形成。