[发明专利]共模滤波器及其制造方法有效
申请号: | 201410563013.X | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN105047358B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 张建世;梁珍赫;赵廷珉 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F27/28;H01F41/04 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;孙丽妍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介电层 铅电极 共模滤波器 磁性基板 线圈电极 高度补偿 外部电极 电极形成 上表面 电极 制造 | ||
本发明公开了一种共模滤波器及用于制造该共模滤波器的方法。根据本发明的实施例的共模滤波器包括:磁性基板;第一线圈电极,该第一线圈电极形成在该磁性基板上;第一铅电极,该第一铅电极形成在该磁性基板上;第一介电层,该第一介电层形成在该磁性基板上;高度补偿电极,该高度补偿电极形成在该第一铅电极的上表面上;第二线圈电极,该第二线圈电极形成在该第一介电层上;第二铅电极,该第二铅电极形成在该第一介电层上;第二介电层,该第二介电层形成在第一介电层上;以及外部电极,该外部电极形成在该第二介电层上。
相关申请的交叉引证
本申请要求于2014年4月22日在韩国知识产权局提交的申请号为第10-2014-0048305号的韩国专利的优先权,其全部内容通过引证结合于此。
技术领域
本发明涉及一种共模滤波器以及该共模滤波器的制造方法。
背景技术
高速数字接口(诸如USB)需要一种处理噪音的部件。能选择性地移除共模噪音的这种部件中的一个为共模滤波器。
当阻抗在布线系统中未并联时可产生共模噪音。该共模噪音经常产生为较高频率的。这是因为共模噪音还可例如被传递至地面并被大循环地反弹回来,共模噪音在远处的电子设备中引起各种类型的噪音干扰。
共模滤波器可允许差模信号绕过(bypass)同时选择性地移除共模噪音。在该共模滤波器中,磁通量通过差模信号被抵消,不引起电感产生并允许差模信号绕过。另一方面,磁通量通过共模噪音而被增大,使得电感增大且允许噪音被移除。
在公开号为第2011-0129844号的韩国专利(共模噪音滤波器;在2011年12月6日特许公开)中披露了本发明的现有技术。
发明内容
本发明提供一种可减少线圈电极与铅电极之间的高度差的共模滤波器及其制造方法。
本发明的一个方面提供一种共模滤波器,该共模滤波器包括:磁性基板;第一线圈电极,该第一线圈电极形成在该磁性基板上;第一铅电极,该第一铅电极形成在该磁性基板上以与该第一线圈电极的端部连接;第一介电层,该第一介电层形成在该磁性基板上以覆盖该第一线圈电极的上表面和该第一铅电极的上表面;高度补偿电极,该高度补偿电极形成在该第一铅电极的上表面上,以便补偿该第一介电层与该第一铅电极之间的高度差;第二线圈电极,该第二线圈电极形成在该第一介电层上以与该第一线圈电极电连接;第二铅电极,该第二铅电极形成在该第一介电层上以与该第二线圈电极的端部连接并与该高度补偿电极的上表面接触;第二介电层,该第二介电层形成在该第一介电层上以覆盖该第二线圈电极的上表面和该第二铅电极的上表面;以及外部电极,该外部电极形成在第二介电层上以与该第二铅电极电连接。
该第一介电层中可形成有凹槽,以允许该第一铅电极暴露,并且该高度补偿电极可形成在该凹槽内。
该高度补偿电极和该第二铅电极可整体形成。
该高度补偿电极的截面面积可小于该第一铅电极的截面面积。
该第二铅电极可定位在比该第一铅电极更内部的位置处。
该第一铅电极可布置在该磁性基板上的角部附近。
该共模滤波器可还包括形成在该第二介电层上的磁性层。
该共模滤波器可还包括介入在该磁性基板与该第一介电层之间的介电涂层。
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