[发明专利]一种中反射三银LOW-E玻璃及制备方法

权利要求书

1.一种中反射三银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，在所述的玻璃基片(1)的复合面上由内到外依次相邻地复合有十五个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为Si₃N₄层(21)，第二膜层为TiO₂层(22)，第三膜层为ZnO层(23)，第四膜层为Ag层(24)，第五膜层为NiCrO_x层(25)，第六层膜为ZnSnO₃层(26)，第七膜层为ZnO层(27)，第八膜层为Ag层(28)，第九膜层为NiCrO_x层(29)，第十膜层为ZnSnO₃层(210)，第十一膜层为ZnO层(211)，第十二膜层为Ag层(212)，第十三膜层为NiCr层(213)，第十四膜层为ZnSnO₃层(214)，最外层第十五膜层为Si₃N₄层(215)，所述第一膜层的Si₃N₄层(21)的厚度为8～15nm，最外层第十五膜层Si₃N₄层(215)的厚度为15～25nm，第六层膜为ZnSnO₃层(26)的厚度为78～85nm，第十膜层为ZnSnO₃层(210)的厚度为95～100nm，第十四膜层为ZnSnO₃层(214)，厚度为15～25nm。

2.根据权利要求1所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜层的TiO₂层(22)的厚度为8～15nm。

3.根据权利要求1所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜层ZnO层(23)的厚度为15～20nm，第七膜层ZnO层(27)的厚度为15～25nm，第十一膜层为ZnO层(211)的厚度为8～14nm。

4.根据权利要求1所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜层Ag层(24)的厚度为2～5nm，第八膜层为Ag层(28)的厚度为5～10nm，第十二膜层为Ag层(212)的厚度为5～10nm。

5.根据权利要求1所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五膜层NiCrO_x层(25)的厚度为1～3nm，第九膜层NiCrO_x层(29)的厚度为2～5nm。

6.根据权利要求1所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于第十三膜层NiCr层(213)的厚度为0.5～2nm。

7.一种制备权利要求1-6任意一项所述的中反射三银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射Si₃N₄层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％；

(2)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(3)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(4)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(5)磁控溅射NiCrO_X层，用氮气做反应气体，渗少量氧气，用直流电源溅射；

(6)磁控溅射ZnSnO₃层，用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn＝48～52:48～52；

(7)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(8)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(9)磁控溅射NiCrO_X层，用氮气做反应气体，渗少量氧气，用直流电源溅射；

(10)磁控溅射ZnSnO₃层，用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn＝48～52:48～52；

(11)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(12)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(13)磁控溅射NiCr层，用直流电源、氩气作主反应气体的金属溅射；

(14)磁控溅射ZnSnO₃层，用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn＝48～52:48～52；

(15)磁控溅射Si₃N₄层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％。