[发明专利]一种中反射三银LOW-E玻璃及制备方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种镀膜玻璃，更具体地说是一种中反射三银LOW-E玻璃，本发明还涉及一种玻璃的制备方法。

【背景技术】

玻璃是在当代的生产和生活中扮演着重要角色，建筑物的门窗汽车车窗和挡风玻璃等等许多地方都用到玻璃，给生产和生活带来了很多的方便。中反射玻璃需求量也很大，但现有的中反射玻璃阳光透过率低，反射率高，遮阳系数高。

【发明内容】

本发明目的是克服了现有技术的不足，提供一种透过率高，反射率低，遮阳系数小的中反射三银LOW-E玻璃。本发明还提供一种中反射三银LOW-E玻璃的制备方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种中反射三银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片1的复合面上由内到外依次相邻地复合有十五个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为Si₃N₄层21，第二膜层为TiO₂层22，第三膜层为ZnO层23，第四膜层为Ag层24，第五膜层为NiCrO_x层25，第六层膜为ZnSnO₃层26，第七膜层为ZnO层27，第八膜层为Ag层28，第九膜层为NiCrO_x层29，第十膜层为ZnSnO₃层210，第十一膜层为ZnO层211，第十二膜层为Ag层212，第十三膜层为NiCr层213，第十四膜层为ZnSnO₃层214，最外层第十五膜层为Si₃N₄层215，所述第一膜层的Si₃N₄层21的厚度为8～15nm，最外层第十五膜层Si₃N₄层215的厚度为15～25nm，第六层膜为ZnSnO₃层26的厚度为78～85nm，第十膜层为ZnSnO₃层210的厚度为95～100nm，第十四膜层为ZnSnO₃层214，厚度为15～25nm。

如上所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第二膜层的TiO₂层22的厚度为8～15nm。

如上所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三膜层ZnO层23的厚度为15～20nm，第七膜层ZnO层27的厚度为15～25nm，第十一膜层为ZnO层211的厚度为8～14nm。

如上所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四膜层Ag层24的厚度为2～5nm，第八膜层为Ag层28的厚度为5～10nm，第十二膜层为Ag层212的厚度为5～10nm。

如上所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五膜层NiCrO_x层25的厚度为1～3nm，第九膜层NiCrO_x层29的厚度为2～5nm。

如上所述的中反射三银LOW-E玻璃，其特征在于第十三膜层NiCr层213的厚度为0.5～2nm。

一种制备上述的中反射三银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射Si₃N₄层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％；

(2)磁控溅射TiO₂层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(3)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(4)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(5)磁控溅射NiCrO_X层，用氮气做反应气体，渗少量氧气，用直流电源溅射；

(6)磁控溅射ZnSnO₃层，用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn＝48～52:48～52；

(7)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(8)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(9)磁控溅射NiCrO_X层，用氮气做反应气体，渗少量氧气，用直流电源溅射；

(10)磁控溅射ZnSnO₃层，用中频交流电流溅射ZnSn重量比Zn:Sn＝48～52:48～52；

(11)磁控溅射ZnO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(12)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；