[发明专利]半导体器件的制造方法及实现该方法的计算系统

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

形成靶层；

在所述靶层上形成第一掩模以暴露第一区；

随后在所述靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与所述第一区分开的第二区；

随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将所述第一区分为在交叉所述第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区；和

使用所述第一至第三掩模蚀刻所述靶层，使得所述第一子区和所述第二子区以及所述第二区被限定在所述靶层中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述靶层包括氧化物层。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一掩模包括：

在所述靶层上顺序地形成第一有机层、氧化物层和硬掩模层；以及

使用所述氧化物层作为蚀刻停止层来图案化所述硬掩模层。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述氧化物层包括与所述靶层相同的材料。

5.如权利要求3所述的方法，其中图案化所述硬掩模层包括：

在所述硬掩模层上顺序地形成第二有机层和光致抗蚀剂图案；和

使用所述光致抗蚀剂图案蚀刻所述第二有机层和所述硬掩模层直到暴露所述氧化物层。

6.如权利要求3所述的方法，其中形成第三掩模包括：

在所述氧化物层上形成第二有机层和光致抗蚀剂图案；和

使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模和使用所述氧化物层作为蚀刻停止层来图案化所述第二有机层。

7.如权利要求6所述的方法，其中蚀刻所述靶层使得所述第一子区和所述第二子区被限定在所述靶层中包括：

通过使用所述第一掩模和所述第三掩模来蚀刻所述氧化物层和所述第一有机层，暴露所述靶层；和

一起蚀刻所述暴露的靶层和所述氧化物层。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：

灰化所述第一有机层。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

形成导电层以接触在所述第一和第二子区以及所述第二区中在所述靶层下面的有源图案。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述有源图案包括沿着所述第一方向延伸的有源鳍，形成靶层还包括在所述有源鳍上形成栅极电极以沿着所述第二方向延伸。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一和第二子区以及所述第二区中形成导电层，和

其中形成靶层包括:

形成有源图案；

在所述有源图案上形成硅化物接触以接触所述导电层；以及

在所述硅化物接触上形成所述靶层。

12.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

接收一布局设计，在该布局设计中限定了使用双图案化光刻形成的第一和第二图案，该第一图案包括第一子图案和与所述第一子图案分开第一间隙的第二子图案；

产生用于暴露被限定为所述第一子图案和所述第二子图案的区域以及在所述第一子图案和所述第二子图案之间的区域的第一掩模；

产生用于暴露被限定为所述第二图案的区域的第二掩模；以及

产生用于将通过所述第一掩模暴露的区域划分成被限定为所述第一子图案和所述第二子图案的区域的第三掩模。

13.如权利要求12所述的方法，其中在所述布局设计中，被限定为所述第一图案的区域和被限定为所述第二图案的区域在第一方向上彼此分开，被限定为所述第一子图案的区域和被限定为所述第二子图案的区域在交叉所述第一方向的第二方向上彼此分开。