[发明专利]半导体器件的制造方法及实现该方法的计算系统

说明书

本发明提供了制造半导体器件的方法和用于实现该方法的计算系统。制造半导体器件的方法包括：形成靶层；在靶层上形成第一掩模以暴露第一区；随后在靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与第一区分开的第二区；随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将第一区分为在交叉第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区；和使用第一至第三掩模蚀刻靶层，使得第一子区和第二子区以及第二区被限定在靶层中。

技术领域

至少一个示例实施方式涉及一种制造半导体器件的方法和/或实现该方法的计算系统(computing system)。

背景技术

随着半导体器件变得更高集成，半导体器件的图案尺寸正在迅速减小。因此，用于形成半导体器件的精细图案的工艺余量减小。例如，在制造半导体器件时，包括金属布线(wiring)的各种图案使用例如光刻工艺形成。

光刻工艺通常由在蚀刻靶层上涂覆光致抗蚀剂的涂覆工艺、辐照光到所涂覆的光致抗蚀剂的预定部分(或者备选地，期望的部分)的曝光工艺、和去除光致抗蚀剂的曝光部分的显影工艺组成。期望的图案通过使用光致抗蚀剂图案蚀刻一蚀刻靶层而形成。

随着半导体器件的集成提高，精细图案形成技术的重要性也增加。然而，由于通过光刻设备可以实现的光致抗蚀剂的临界尺寸被限制到某一范围，所以越来越难以形成精细图案。为了解决这个问题，已经提出了双图案化光刻作为形成精细图案的技术，该精细图案具有在某一范围内或更小的线宽。

然而，由于一些图案使用双图案化光刻法仍然难以图案化，所以正在积极地研究以可靠的方式形成这样的成为难题的图案的方法。

发明内容

一些示例实施方式提供了制造半导体器件的方法，该方法能够以可靠的方式形成精细图案。

一些示例实施方式还提供了能够实现上述方法的计算系统。

然而，示例实施方式不限于在此阐述的示例实施方式。通过参考如下给出的一些示例实施方式的详细说明，示例实施方式的上述及其它方面对示例实施方式所属的领域的一般技术人员而言将变得更加明白。

根据示例实施方式，一种制造半导体器件的方法包括：形成靶层；在靶层上形成第一掩模以暴露第一区；随后在靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与第一区分开的第二区；随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将第一区分为在交叉第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区；和使用第一至第三掩模蚀刻靶层，使得第一子区和第二子区以及第二区被限定在靶层中。

根据示例实施方式，一种制造半导体器件的方法包括：接收一布局设计，在其中限定了使用双图案化光刻法形成的第一和第二图案，该第一图案包括第一子图案和与第一子图案分开第一间隙的第二子图案；产生用于暴露被限定为第一子图案和第二子图案的区域以及在第一子图案和第二子图案之间的区域的第一掩模；产生用于暴露被限定为第二图案的区域的第二掩模；以及产生用于将通过第一掩模暴露的区域划分成被限定为第一子图案和第二子图案的区域的第三掩模。

根据示例实施方式，一种计算系统包括：构造为执行掩模产生模块的处理器。当该掩模产生模块由该处理器执行时，该掩模产生模块配置处理器以接收布局设计并利用该处理器产生用于形成包括在布局设计中的图案的掩模。布局设计包括使用双图案化光刻形成的第一图案和第二图案，该第一图案包括第一子图案和与该第一子图案分开第一间隙的第二子图案。掩模产生模块配置处理器以分别产生用于暴露与第一子图案和第二子图案对应的第一区以及在第一子图案与第二子图案之间的第二区的第一掩模、用于暴露与第二图案对应的第三区的第二掩模、和用于将由第一掩模暴露的第一区划分成与第一子图案和第二子图案对应的第一子区和第二子区的第三掩模。