[发明专利]一种空腔结构的ZSM‑35类型分子筛的制备方法有效
申请号: | 201410564716.4 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN105585030B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 杨卫亚;凌凤香;王少军;沈智奇;季洪海;王丽华;郭长友 | 申请(专利权)人: | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院 |
主分类号: | C01B39/44 | 分类号: | C01B39/44 |
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地址: | 100728 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 空腔 结构 zsm 35 类型 分子筛 制备 方法 | ||
1.一种空腔结构的ZSM-35类型分子筛的制备方法,其特征在于包括如下内容:(1)在超声分散及物理搅拌的共同作用的条件下,将铝源、硅源、碱、水及模板剂原料混合均匀;(2)将步骤(1)中的混合物在超声分散和物理搅拌共同作用下继续混合老化;(3)将步骤(2)得到的物料置于反应釜中高温晶化;(4)将反应体系缓慢降温,降温结束后,通过反应釜减压阀缓慢释放水蒸气,降低反应体系中H2O/SiO2的摩尔比,然后低温晶化,最终晶化产物经洗涤、干燥和焙烧,得到中空聚集形态的ZSM-35分子筛;
步骤(1)中所述物料中铝源、硅源、碱源、水和模板剂以下列物质计,比例关系如下:
SiO2/Al2O3摩尔比为20-35
模板剂/SiO2摩尔比为0.4-1.0
H2O/SiO2摩尔比为25-55
OH-/SiO2摩尔比为0.10-0.15;其中所述的模板剂为环己胺和/或乙二胺;
步骤(3)中所述的高温晶化条件为:晶化温度为160-185℃,晶化时间为12-120小时;步骤(4)所述的低温晶化时间为0.5-6小时,晶化温度即为反应体系缓慢降温结束后的温度。
2.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(1)所述的铝源为偏铝酸钠、硝酸铝、氯化铝、硫酸铝、铝的氧化物及氢氧化物、薄水铝石及拟薄水铝石中的一种或其组合物。
3.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(1)所述的硅源为硅溶胶、硅胶、白炭黑、水玻璃、硅藻土中的一种或其组合物。
4.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(1)所述的碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾。
5.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(1)中所述物料的加入顺序为:氢氧化钠首先充分溶解到水中,然后再依次加入铝源、模板剂,最后再加入硅源。
6.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(1)中所述物理搅拌搅拌方式为机械搅拌、磁力搅拌或振动搅拌的任一方式;所述的超声分散条件为:超声分散的能量密度为0.2-4kW/L,超声分散温度为15-80℃;超声分散和物理搅拌的共同作用时间为0.2-1小时。
7.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(2)中所述的超声分散和物理搅拌条件同步骤(1)相同,超声分散和物理搅拌共同作用的时间为1-24小时。
8.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(4)所述的缓慢降温,是指将温度降至100-135℃,降温速度不大于2℃/min。
9.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(4)所述的缓慢降温,是指将温度降至为105-130℃,降温速为0.1-0.5℃/min。
10.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤(4)所述的缓慢水蒸气后,反应体系的H2O/SiO2摩尔比降低至5-15。
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