[发明专利]研磨方法及研磨装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种一边将研磨液供给到研磨垫一边在研磨垫上对晶片等的基板进行研磨的研磨方法及研磨装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，器件表面的平坦化技术越来越重要。这种平坦化技术中最重要的技术是化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing即CMP)。该化学机械研磨(下面成为CMP)是，使用研磨装置，一边将含有二氧化硅(SiO₂)或二氧化铈(CeO₂)等的磨粒的研磨液(浆料)供给到研磨垫一边使晶片等的基板与研磨面滑动接触而进行研磨。

对于进行CMP的研磨装置，参照图18来进行说明。图18是一般性的研磨装置的概要图。如图18所示，研磨装置具有：对具有研磨面的研磨垫100进行支承的研磨台101；以及对晶片等的基板W进行保持用的顶环102。在使用这种研磨装置对基板W进行研磨的场合，顶环102以规定的压力将基板W按压在研磨垫100上。并且，通过使研磨台101和顶环102相对运动而使基板W与研磨垫100滑动接触，基板W的表面被研磨成平坦和镜面。

研磨基板W时，含有磨粒的研磨液(浆料)被供给到研磨垫100上。磨粒是微粒子，有时这种磨粒凝聚而成为较大的粒子(下面称为粗大粒子)。当这种粗大粒子被供给到研磨垫100上时，基板W的表面就产生划伤。为了解决这种问题，在浆料供给管线103上设有用于捕捉粗大粒子的过滤器104。

过滤器104的上游侧设有开闭阀105，打开该开闭阀105，浆料就通过过滤器104而供给到研磨垫100上。由于浆料中的粗大粒子被过滤器104捕捉，因此，粗大粒子不会排出到研磨垫100上。

当浆料通过过滤器104时，作用于过滤器104入口侧的压力就比作用于过滤器104出口侧的压力高。当这种过滤器104的入口侧与出口侧的压力差大时，由过滤器104捕捉的粗大粒子就从过滤器104被挤出，被排出到研磨垫100上。如图19所示，随着过滤器104的入口侧与出口侧的压力差变大，粗大粒子的排出量也就增加。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2003-179012号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是鉴于上述以往的问题而做成的，其目的在于提供一种防止粗大粒子排出到研磨垫上并对基板进行研磨的研磨方法及研磨装置。

用于解决课题的手段

第1方式是一种研磨方法，一边将通过过滤器的研磨液供给到研磨垫上，一边使基板与所述研磨垫滑动接触而对该基板进行研磨，该研磨方法的特点是，一边增加作为研磨液的物理量的所述研磨液的流量及压力中的某一方直至所述物理量达到规定的设定值，一边使所述研磨液通过所述过滤器，一边将通过所述过滤器的所述研磨液供给到所述研磨垫上，一边在所述研磨垫上对所述基板进行研磨。

第2方式是一种研磨方法，一边将通过过滤器的研磨液供给到研磨垫上、一边使基板与所述研磨垫滑动接触而对该基板进行研磨，该研磨方法的特点是，当不对所述基板进行研磨时，进行使研磨液间歇性通过所述过滤器的过滤器清洁工序，一边将通过所述过滤器的所述研磨液供给到所述研磨垫上，一边在所述研磨垫上对所述基板进行研磨。

第3方式是一种研磨方法，一边将通过过滤器的研磨液供给到研磨垫上、一边使基板与研磨垫滑动接触而对该基板进行研磨，该研磨方法的特点是，当不研磨所述基板时进行过滤器清洁工序，该过滤器清洁工序是，将作为研磨液的物理量的所述研磨液的流量及压力中的某一方保持成比所述基板的研磨时的所述物理量大的数值、并使所述研磨液连续通过所述过滤器的工序，一边将通过所述过滤器的所述研磨液供给到所述研磨垫上，一边在所述研磨垫上对所述基板进行研磨。

第4方式是一种研磨装置，一边将研磨液供给到研磨垫上、一边使基板与所述研磨垫滑动接触而对该基板进行研磨，该研磨装置的特点是，具有：对所述研磨垫进行支承的研磨台；将基板按压到所述研磨垫上的顶环；以及将研磨液供给到所述研磨垫上的研磨液供给机构，所述研磨液供给机构具有：将所述研磨液供给到所述研磨垫上的浆料供给喷管；与所述浆料供给喷管连接的过滤器；以及对作为通过所述过滤器的所述研磨液的物理量的所述研磨液的流量及压力中的某一方进行调整的调节器，所述调节器增加所述物理量直至所述物理量达到规定的设定值。