[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、柔性显示面板和显示装置有效
申请号: | 201410567471.0 | 申请日: | 2014-10-22 |
公开(公告)号: | CN104393014B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 高涛;周伟峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 柔性 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括划分为显示区和外围区的柔性基板,所述外围区包围所述显示区;其特征在于,还包括:
依次形成于所述显示区的所述柔性基板上的有阵列层和第一膜层;
形成于所述外围区的所述柔性基板上的多个集成电路元件和柔性线路板接口;
形成于所述外围区与所述第一膜层的交界处、以及形成于所述外围区除所述集成电路元件和所述柔性线路板接口之外的所述柔性基板上的柔性保护膜层。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述柔性保护膜层的材料为环氧树脂类粘结剂、硅胶类粘结剂或紫外光固化粘结剂。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述柔性保护膜层的粘度范围为40~50Pa·s,所述柔性保护膜层固化后的剪切强度为25~35MPa,所述柔性保护膜层固化后的剥离力强度为9~12KN/m。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述柔性保护膜层的厚度为5~15微米。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一膜层为阻隔膜层,所述阻隔膜层为掺杂富硅氮化硅SiNx或一氧化硅SiO的聚萘二甲酸乙二醇脂PEN薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇脂PET薄膜或聚酰亚胺PI薄膜中的一种或者任意组合的复合膜层。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述阵列层和所述阻隔膜层之间的有机电致发光OLED膜层。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一膜层为电子墨水显示膜层。
8.一种柔性显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至7任意一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求8所述的柔性显示面板。
10.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一柔性基板,所述柔性基板划分为显示区和外围区的柔性基板,所述外围区包围所述显示区;
在所述显示区的所述柔性基板上依次形成阵列层和第一膜层;
在所述外围区的所述柔性基板上形成多个集成电路元件和柔性线路板接口;
在所述外围区与所述第一膜层交界处、以及所述外围区除所述集成电路元件和所述柔性线路板接口之外的所述柔性基板上形成柔性保护膜层。
11.如权利要求10所述的制备方法,其特征在于,在所述外围区与所述第一膜层交界处、以及所述外围区除所述集成电路元件和所述柔性线路板接口之外的所述柔性基板上形成柔性保护膜层,包括:
在所述外围区与所述第一膜层交界处、以及所述外围区除所述集成电路元件和所述柔性线路板接口之外的所述柔性基板上涂覆厚度为5~15微米的环氧树脂类粘结剂材料或硅胶类粘结剂材料,在室温下固化60分钟形成所述柔性保护膜层;或者,
在所述外围区与所述第一膜层交界处、以及所述外围区除所述集成电路元件和所述柔性线路板接口之外的所述柔性基板上涂覆厚度为5~15微米的紫外光固化粘结剂材料,通过紫外光固化形成所述柔性保护膜层。
12.如权利要求11所述的制备方法,其特征在于,在所述显示区的所述柔性基板上依次形成所述阵列层和所述第一膜层之前,还包括在所述阵列层和所述第一膜层之间形成OLED膜层;其中,所述第一膜层为阻隔膜层,所述阻隔膜层为掺杂SiNx或SiO的聚萘二甲酸乙二醇脂PEN薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇脂PET薄膜或聚酰亚胺PI薄膜中的一种或者任意组合的复合膜层。
13.如权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述第一膜层为电子墨水显示膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的