[发明专利]发光二极管封装结构在审

专利信息
申请号: 201410569770.8 申请日: 2014-10-23
公开(公告)号: CN105591007A 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: 林厚德;张超雄;陈滨全;陈隆欣 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 谢志为
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,包括至少两电极,与所述至少两电极电性连接的至少一发光二极管芯片,覆盖所述发光二极管芯片的封装体,以及将所述封装体、所述发光二极管芯片围设在内的壳体,所述壳体包括基座和自基座向上延伸的反射杯,所述反射杯将发光二极管芯片环绕,其特征在于:所述壳体还包括支撑件,所述支撑件设置于所述反射杯内部,并横跨于所述至少两电极上。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述基座包括框体和若干支架,所述反射杯自框体沿高度方向延伸形成,所述至少两电极形成在所述基座上并通过所述若干支架间隔,所述支撑件自所述反射杯的一侧壁延伸至相对的另一侧壁,并横跨其中一个支架。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述若干支架包括第一支架、第二支架和第三支架,所述第一支架和第二支架均自所述框体的一侧边延伸至另一侧边,所述第三支架形成于第一支架和第二支架之间,所述支撑件横跨所述第三支架。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一支架和第二支架平行,并沿所述框体的宽度方向延伸,所述支撑件与第一支架和第二支架平行并位于所述框体的中轴线上。

5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述框体和所述第一支架、第二支架和第三支架共同围成第一电极本体区、第二电极本体区、第一延伸区和第二延伸区,其中第一电极本体区由第一支架与框体围成,第二电极本体区由第二支架与框体围成,框体和第三支架围成相互间隔的第一延伸区和第二延伸区,第一延伸区和第二延伸区夹设于第一电极本体区和第二电极本体区之间。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一支架的一部分、所述第二支架的一部分和所述第三支架的高度相等,共同构成“Z”字形凸起。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述至少两电极至少包括第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极之间由“Z”字形间隔区间隔。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一电极包括第一本体部和第一延伸部,第二电极包括第二本体部和第二延伸部,第一延伸部和第二延伸部分别自第一电极的第一本体部和第二电极的第二本体部相向延伸形成,所述间隔区形成于所述第一延伸部和第二延伸部之间。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述支撑件横跨于所述第一延伸部、间隔区和第二延伸部上。

10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述支撑件的高度小于所述反射杯的高度。

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