[发明专利]提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实现装置

权利要求书

1.一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法，包括如下步骤：

第一步：计算需并联的串联电路的路数；

第二步：各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系；

第三步：使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET。

2.根据权利要求1所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法， 其特征在于：所述的计算需并联的串联电路的路数步骤，根据具体的输出电 流值计算需并联的串联电路的路数；

并联路数n的计算公式为：

n＝I/i；

式中，i为各支路设计电流值，I为电路总的输出电流值。

3.根据权利要求2所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法， 其特征在于：所述的计算需并联的串联电路的路数步骤，电路总的输出电流 值I＝16A，各支路设计电流值i＝2A，并联路数n＝8。

4.根据权利要求1所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法， 其特征在于：所述的各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关 系步骤，根据第一步计算得到的路数，在各并联支路中再串入一个同型号的 功率MOSFET，使原功率MOSFET和新加入的MOSFET构成串流关系。

5.根据权利要求1所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法， 其特征在于：所述的使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET步骤， 使用相关联的驱动电路分别驱动两个串联的功率MOSFET。

6.根据权利要求5所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法， 其特征在于：所述的使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET步骤， 驱动电路保证两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步。

7.根据权利要求6所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法， 其特征在于：所述的驱动电路采用电阻分压形式。

8.一种使用根据权利要求1-7任何一项所述的一种提高并联功率 MOSFET均流性能的方法实现的装置，其特征在于：包括8条并联支路和驱 动电路，每条并联支路包括两个串联的同型号的功率MOSFET，驱动电路与 两个串联的同型号的功率MOSFET并联，分别驱动两个串联的同型号的功率 MOSFET，驱动电路使两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步；驱动电路 由串联的阻值分别为100K欧姆和200K欧姆的分压电阻组成，8个并联支路 中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路 上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为100K的分压电阻的一端并联在80V 电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个 功率MOSFET的漏极连接；8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与 阻值为200K的分压电阻的一端并联在53V电源的输出端，8个并联支路中的 另一个功率MOSFET的源极相连接。

9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述的8个并联支路中的 另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200K的分压电阻的一端并联在59V或 61V电源的输出端。