[发明专利]提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实现装置

说明书

技术领域

本发明属于电源技术领域，具体涉及一种提高并联功率MOSFET 均流性能的方法及其实现装置。

背景技术

由于制造工艺所限，目前很难生产出高耐压大电流的MOSFET器 件，市场上的MOSFET功率普遍较小，当电路要求的电流容量超过单 只功率MOSFET的电流容量时，可以将多个MOSFET管并联来增大电 流容量或功率。由于MOSFET的漏电流具有负的温度系数，当多个 MOSFET并联时无须使用平衡各器件电流的限流电阻和温度补偿电 路，因为它们具有自动均流和均温作用。但其不足之处是：由于 MOSFET自身参数及电路参数不匹配，会导致器件并联应用时出现电 流分配不均的问题，严重时，会使有关的并联功率MOSFET过载而损 坏。即使可以采用一些措施来达到均流的目的，例如尽量选择参数一致 的元件进行并联，为器件安装位置应尽量做到完全对称，所有连线必须 一样长，且尽量加粗和缩短等。但是这些措施的可操作性较差，稍有出 入就会影响实际的使用效果，甚至使MOSFET损坏。

发明内容

本发明的目的在于解决现有MOSFET电路各支路因参数不一致等 问题造成的电流过大而烧坏器件的问题，提供一种能够提高多路并联功 率MOSFET均流性能的提高并联功率MOSFET均流性能的方法及其实 现装置。

本发明是这样实现的：

一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法，包括如下步骤：

第一步：计算需并联的串联电路的路数；

第二步：各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关系；

第三步：使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET。

如上所述的计算需并联的串联电路的路数步骤，根据具体的输出电 流值计算需并联的串联电路的路数；

并联路数n的计算公式为：

n＝I/i；

式中，i为各支路设计电流值，I为电路总的输出电流值。

如上所述的计算需并联的串联电路的路数步骤，电路总的输出电 流值I＝16A，各支路设计电流值i＝2A，并联路数n＝8。

如上所述的各并联支路增加MOSFET使所有MOSFET构成串流关 系步骤，根据第一步计算得到的路数，在各并联支路中再串入一个同型 号的功率MOSFET，使原功率MOSFET和新加入的MOSFET构成串 流关系。

如上所述的使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET步 骤，使用相关联的驱动电路分别驱动两个串联的功率MOSFET。

如上所述的使用关联的驱动电路分别驱动串联的功率MOSFET步 骤，驱动电路保证两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步。

如上所述的驱动电路采用电阻分压形式。

一种使用如上所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的方法 实现的装置，其特征在于：包括8条并联支路和驱动电路，每条并联支 路包括两个串联的同型号的功率MOSFET，驱动电路与两个串联的同 型号的功率MOSFET并联，分别驱动两个串联的同型号的功率 MOSFET，驱动电路使两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步；驱 动电路由串联的阻值分别为100K欧姆和200K欧姆的分压电阻组成，8 个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个 分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为100K的分 压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极 分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接；8个并联 支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200K的分压电阻的一 端并联在53V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET 的源极相连接。

如上所述的8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值 为200K的分压电阻的一端并联在59V或61V电源的输出端。

本发明的有益效果在于：