[发明专利]一种FINFET结构及其制造方法

权利要求书

1.一种FINFET的制造方法，包括：

a.提供半导体衬底(100)，在所述半导体衬底(100)上形成鳍片(200)；

b.在所述鳍片(200)上方形成伪栅叠层(300)，并在伪栅叠层(300)两侧形成第一侧墙(301)；

c.在所述伪栅叠层(300)两侧的鳍片(200)中形成横向源漏扩展区(210)；

d.在所述伪栅叠层(300)两侧的鳍片(200)中形成纵向源漏扩展区(220)；

e.在所述伪栅叠层(300)两侧形成第二侧墙(302)，在所述第二侧墙(302)两侧的鳍片(200)中形成源漏区；

f.在所述鳍片(200)周围的半导体衬底(100)上方形成浅沟槽隔离结构(400)，所述浅沟槽隔离结构(400)包围所述鳍片(200)的下半部分；在所述浅沟槽隔离结构(400)上方形成层间介质层(500)，所述层间介质层(500)顶部与所述伪栅叠层(300)顶部平齐；去除伪栅叠层(300)并形成栅极空位，在所述栅极空位中形成栅极叠层(600)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述横向源漏扩展区(210)和所述纵向源漏扩展区(220)的掺杂类型相同，与衬底的掺杂类型相反。

3.根据权利要求1述的制造方法，其特征在于，所述横向源漏扩展区(210)的掺杂浓度大于所述纵向源漏扩展区(220)的掺杂浓度。

4.根据权利要求1述的制造方法，其特征在于，形成所述横向源漏扩展区(210)的方法是倾斜的离子注入。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述横向源漏扩展区(210)位于所述鳍片(200)中未被槽隔离结构(400)包围的区域内。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述纵向源漏扩展区(220)的方法是垂直的离子注入，其采用能量和剂量小于形成所述横向源漏扩展区(210)采用的能量和剂量。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述纵向源漏扩展区(220)位于所述横向源漏扩展区(210)下方的鳍片(200)中。

8.一种FINFET结构，包括：

半导体衬底(100)；

鳍片(200)，所述鳍片位于所述半导体衬底(100)上方；

栅极叠层(600)，所述栅极叠层(600)覆盖所述鳍片(200)中间的区域；

第一侧墙(301)，所述第一侧墙位于所述栅极叠层(600)两侧；

横向源漏扩展区(210)，所述横向源漏扩展区(210)位于所述第一侧墙(301)两侧的鳍片(200)中；

纵向源漏扩展区(220)，所述纵向源漏扩展区(220)位于所述横向源漏扩展区(210)下方的鳍片(200)中；

第二侧墙(302)，所述第二侧墙(302)位于所述第一侧墙(301)两侧；

源漏区，所述源漏区位于所述第二侧墙(302)两侧的鳍片(200)中；

浅沟槽隔离结构(400)，位于鳍片(200)周围的半导体衬底(100)上方，所述浅沟槽隔离结构(400)包围所述鳍片(200)的下半部分；

层间介质层(500)，所述层间介质层(500)位于所述浅沟槽隔离结构(400)上方，覆盖所述鳍片(200)两侧的区域，其顶部与所述栅极叠层(600)顶部平齐。

9.根据权利要求8所述的FINFET结构，其特征在于，所述横向源漏扩展区(210)和所述纵向源漏扩展区(220)的掺杂类型相同，与衬底的掺杂类型相反。

10.根据权利要求8述的FINFET结构，其特征在于，所述横向源漏扩展区(210)的掺杂浓度大于所述纵向源漏扩展区(220)的掺杂浓度。