[发明专利]一种单层荧光纳米二硫化钼的制备方法

权利要求书

1.一种单层荧光纳米二硫化钼材料，其特征在于以微米级别的二硫化钼粉末为原料，液相超声法得到荧光纳米二硫化钼，粒径大小为30-40nm，荧光发射峰在450-550nm范围内，其中最大荧光发射峰在470nm处。

2.根据权利要求1所述的一种单层荧光纳米二硫化钼材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：

a.将二硫化钼粉末溶解到溶剂中，配成1-10mg/mL的悬浊液A；

b.在步骤a所得的悬浊液A中加入适量氢氧化钠，使氢氧化钠的浓度为1mg/mL，得到悬浊液B；

c.将步骤b所得的悬浊液B在功率大于100W的超声破碎仪中超声10小时以上，得到悬浊液C；

d.将步骤c制得的悬浊液C离心取上清，放入真空干燥箱中干燥，得到粉末；

e.将一定体积的去离子水加入步骤d所得的粉末中，配成1mg/mL溶液，超声辅助溶解，用0.22μm的过滤膜过滤得到溶液；

f.用分子量为1000的透析袋去透析步骤e所得的溶液，去除杂质小分子，最终得到荧光纳米二硫化钼材料。

3.根据权利要求2所述的荧光纳米二硫化钼材料的制备方法，其特征在于步骤a中的溶剂为N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。

4.根据权利要求2所述的荧光纳米二硫化钼材料的制备方法，其特征在于步骤c中超声时间为20小时。