[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410577594.2 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN105280724B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 堀阳一;野田隆夫;大田刚志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体区域 电极 电极接触 半导体装置 导电型 接触区域 抑制二极管 阳极电极 二极管 接合部 密接力 浪涌 耐受 配线 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第1电极；
第2电极；
第1导电型的第1半导体区域，设在上述第1电极与上述第2电极之间，与上述第1电极接触；
第2导电型的第2半导体区域，有选择地设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；
硅化物区域，设在上述第2半导体区域与上述第2电极之间，与上述第2半导体区域及上述第2电极接触；
多个第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2电极与上述第1半导体区域之间，与上述第2电极接触；
配线，与上述第2电极接触，与上述第2电极的接合部分位于上述第3半导体区域的上方，不位于上述硅化物区域的上方。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1半导体区域具有第1部、和杂质浓度比上述第1部低的第2部；
上述第1部设在上述第1电极侧；
上述第2部设在上述第2电极侧。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第1半导体区域与上述第2电极接触。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
在多个上述第3半导体区域之间，分别设有上述第1半导体区域的一部分。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视上述接合部分的情况下，
上述接合部分被上述硅化物区域包围。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述接合部分设有多个；
在俯视多个上述接合部分的情况下，
多个上述接合部分分别被上述硅化物区域包围。
7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述配线设有多个；
在俯视多个上述配线的情况下，
多个上述配线的各个上述配线的上述接合部分被上述硅化物区域包围。
8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述硅化物区域具有：
第1区域，在与从上述第1电极朝向上述第2电极的方向交叉的方向上延伸；
第2区域，将上述第1区域包围。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
上述接合部分在上述第1区域延伸的方向上延伸。
10.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第3半导体区域在上述第1半导体区域上延伸；
上述硅化物区域在上述第3半导体区域延伸的方向上被上述第3半导体区域夹持。
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