[发明专利]薄膜晶体管开关及其制备方法、阵列基板、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的薄膜晶体管开关，包括栅电极、栅电极绝缘层、有源层、源漏电极以及绝缘层，其特征在于，所述源漏电极包括第一电极和第二电极，所述绝缘层位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述栅电极、栅电极绝缘层、有源层沿与所述阵列基板厚度方向垂直的方向依次排列；所述第一电极、绝缘层、第二电极位于所述有源层背离所述栅电极绝缘层的一侧，所述第一电极、绝缘层、第二电极沿所述阵列基板的厚度方向依次排列、且所述第二电极位于所述第一电极背离所述阵列基板衬底基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管开关，其特征在于，所述第一电极为漏电极，所述第二电极为源电极。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管开关，其特征在于，所述第一电极为源电极，所述第二电极为漏电极。

4.一种阵列基板，包括衬底基板，其特征在于，还包括如权利要求1～3任一项所述的薄膜晶体管开关，所述薄膜晶体管开关设置于所述衬底基板上。

5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求4所述的阵列基板。

6.一种如权利要求1～3任一项所述的薄膜晶体管开关的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成栅电极的图形；

沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在栅电极的一侧形成栅电极绝缘层的图形；

沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在栅电极绝缘层背离所述栅电极的一侧形成有源层的图形；

沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在有源层背离所述栅电极的一侧形成第一电极的图形；

沿与所述衬底基板的厚度方向，在第一电极背离所述衬底基板的一侧形成绝缘层的图形；

沿与所述衬底基板的厚度方向，在绝缘层背离所述第一电极的一侧形成第二电极的图形。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅电极的图形，具体包括：

在衬底基板上形成栅金属层，并通过构图工艺形成栅线的图形和栅电极的图形。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在栅电极的一侧形成栅电极绝缘层的图形，具体包括：

在栅线的图形和所述栅电极的图形上形成栅绝缘层，并且沿与衬底基板厚度方向垂直的方向上，在栅电极的一侧通过构图工艺形成一用于设置第一电极、第二电极以及绝缘层的镂空区域，栅绝缘层位于栅电极与镂空区域之间的部分形成栅电极绝缘层的图形。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，当所述第一电极为漏电极、且所述第二电极为源电极时，所述沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在有源层背离所述栅电极的一侧形成第一电极的图形，具体包括：

在所述栅绝缘层上形成数据金属层，通过构图工艺形成数据线的图形和漏电极的图形。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述沿与所述衬底基板的厚度方向，在第一电极背离所述衬底基板的一侧形成绝缘层的图形，具体包括：

在所述数据线图形和漏电极的图形上形成钝化层，所述钝化层位于所述镂空区域内的部分形成所述绝缘层。