[发明专利]薄膜晶体管开关及其制备方法、阵列基板、显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管开关及其制备方法、阵列基板、显示面板。

背景技术

在显示技术领域中，液晶显示面板中像素单元的开口区域时影响其显示品质提高的重要因素。

现有技术中，液晶显示面板的每一个像素单元中设有一个薄膜晶体管开关TFT，其中，薄膜晶体管开关中的源电极和漏电极通过一次构图工艺形成，且源电极和漏电极及两者之间的沟道沿与阵列基板厚度方向垂直的方向排列。

上述TFT中，在源电极和漏电极的排列方向上，TFT的尺寸包括源电极的宽度、漏电极的宽度、以及源电极和漏电极之间的沟道的宽度。由于TFT制备时受曝光机分辨率的限制，源电极与漏电极之间的沟道的宽度不能做的太小，因此，TFT在与阵列基板厚度方向垂直的方向上的宽度不能做的太小，不利于提高像素单元的开口率。

发明内容

本发明提供了一种薄膜晶体管开关及其制备方法、阵列基板、显示面板，该薄膜晶体管开关在阵列基板厚度方向垂直的方向上的宽度不受曝光机分辨率的影响，便于提高像素单元的开口率。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种阵列基板的薄膜晶体管开关，包括栅电极、栅电极绝缘层、有源层、源漏电极以及绝缘层，所述源漏电极包括第一电极和第二电极，所述绝缘层位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述栅电极、栅电极绝缘层、有源层沿与所述阵列基板厚度方向垂直的方向依次排列；所述第一电极、绝缘层、第二电极位于所述有源层背离所述栅电极绝缘层的一侧，所述第一电极、绝缘层、第二电极沿所述阵列基板的厚度方向依次排列、且所述第二电极位于所述第一电极背离所述阵列基板衬底基板的一侧。

上述薄膜晶体管开关中，栅电极、栅电极绝缘层、有源层沿垂直于阵列基板厚度方向的方向排列，第一电极、绝缘层、第二电极沿阵列基板的厚度方向排列，因此，第一电极、第二电极、以及第一电极和第二电极之间的沟道沿阵列基板的厚度方向排列。上述薄膜晶体管在像素单元内沿栅电极、栅电极绝缘层以及有源层排列方向上的宽度主要受栅电极绝缘层的宽度、有源层的宽度、第二电极的宽度的影响，而栅电极绝缘层、有源层、第二电极在沿垂直于阵列基板方向上的宽度不受曝光机分辨率的影响，因此，上述薄膜晶体管中，栅电极绝缘层、有源层、第一电极和第二电极在沿栅电极、栅电极绝缘层以及有源层排列方向上的宽度可以做的较小，便于提高像素单元的开口率。

优选地，所述第一电极为漏电极，所述第二电极为源电极。

优选地，所述第一电极为源电极，所述第二电极为漏电极。

本发明还提供了一种阵列基板，包括衬底基板，还包括上述技术方案中提供的任意一种薄膜晶体管开关，所述薄膜晶体管开关设置于所述衬底基板上。

本发明还提供了一种显示面板，包括上述技术方案中提供的阵列基板。

本发明还提供了一种上述技术方案中提供的任一种薄膜晶体管开关的制备方法，包括：

在衬底基板上形成栅电极的图形；

沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在栅电极的一侧形成栅电极绝缘层的图形；

沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在栅电极绝缘层背离所述栅电极的一侧形成有源层的图形；

沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在有源层背离所述栅电极的一侧形成第一电极的图形；

沿与所述衬底基板的厚度方向，在第一电极背离所述衬底基板的一侧形成绝缘层的图形；

沿与所述衬底基板的厚度方向，在绝缘层背离所述第一电极的一侧形成第二电极的图形。

优选地，所述在衬底基板上形成栅电极的图形，具体包括：

在衬底基板上形成栅金属层，并通过构图工艺形成栅线的图形和栅电极的图形。

优选地，所述沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在栅电极的一侧形成栅电极绝缘层的图形，具体包括：

在栅线的图形和所述栅电极的图形上形成栅绝缘层，并且沿与衬底基板厚度方向垂直的方向上，在栅电极的一侧通过构图工艺形成一用于设置第一电极、第二电极以及绝缘层的镂空区域，栅绝缘层位于栅电极与镂空区域之间的部分形成栅电极绝缘层的图形。

优选地，当所述第一电极为漏电极、且所述第二电极为源电极时，所述沿与所述衬底基板厚度方向垂直的方向，在有源层背离所述栅电极的一侧形成第一电极的图形，具体包括：

在所述栅绝缘层上形成数据金属层，通过构图工艺形成数据线的图形和漏电极的图形。