[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

衬底上的具有第一掺杂类型的漏区；

漏区之上的沟道区；

沟道区之上的具有第二掺杂类型的源区；

衬底之上、与漏区侧壁相接的漏区连接区；

所述源区、漏区及沟道区的侧壁上的栅介质层；

栅介质层侧壁上的栅电极；

栅电极与漏区连接区之间的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源区 相对沟道区为异质半导体层。

3.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅介 质层为具有铁电属性的材料。

4.根据权利要求3所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述具有 铁电属性的材料为具有铁电属性的HfO₂基铁电材料。

5.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述漏区 连接区为漏区的延伸区，所述漏区延伸区由漏区延伸至半导体层两侧的衬 底中。

6.一种隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1，提供衬底；

S2，在所述衬底上形成具有第一掺杂类型的漏区，在漏区之上形成沟 道区，在沟道区之上形成具有第二掺杂类型的源区，以及在衬底上形成与 漏区侧壁相接的漏区连接区；

S3，在漏区连接区上形成隔离层；

S4，在所述源区、漏区及沟道区的侧壁上形成栅介质层，在所述栅介 质层侧壁上形成栅电极。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，步骤S2具体包括：

在衬底中进行第一掺杂类型的掺杂的漏极层；

在衬底上形成沟道层；

在沟道层上形成具有第二掺杂类型的源极层；

进行刻蚀，直至部分厚度的漏极层，以形成源极区、沟道区、漏极区 以及漏区连接区，漏区连接区为漏区的延伸区。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在沟道层上形成具 有第二掺杂类型的源极层的步骤具体包括：在沟道层上外延形成与沟道层 异质的、具有第二掺杂类型的源极层。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述栅介质层为具 有铁电属性的材料。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述具有铁电属 性的材料为具有铁电属性的HfO₂基铁电材料。