[发明专利]电容器组件的制造方法

权利要求书

1.一种电容器组件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一基材层，其具有相对的一第一表面及一第二表面；

在所述基材层上形成至少一预凹槽，其中至少一所述预凹槽系自所述第一表面往所述第二表面的方向延伸；

在至少一所述预凹槽处配置一导针；

对至少一所述导针进行冲花，以在至少一所述预凹槽处形成一冲贯孔，并相应地形成一突伸出所述冲贯孔的导针针花；以及

对至少一所述导针针花进行压平，以形成至少一抵贴于所述基材层之第二表面的导针花瓣。

2.如权利要求1所述的电容器组件的制造方法，其特征在于，其中在提供所述基材层的步骤之中，更进一步包括下列步骤：

提供一阀金属箔；以及

在所述阀金属箔之相对二表面分别形成一第一氧化皮膜层与一第二氧化皮膜层。

3.如权利要求2所述的电容器组件的制造方法，其特征在于，其中在形成所述第一氧化皮膜层与所述第二氧化皮膜层的步骤之前，更进一步包括步骤对所述阀金属箔之相对二表面进行表面处理，以分别在所述阀金属箔之相对二表面上形成复数个坑洞。

4.如权利要求3所述的电容器组件的制造方法，其特征在于，其中所述表面处理的方法为机械腐蚀法。

5.如权利要求3所述的电容器组件的制造方法，其特征在于，其中所述表面处理的方法为激光雕刻法。

6.如权利要求3所述的电容器组件的制造方法，其特征在于，其中所述表面处理的方法为化学腐蚀法或电子化学腐蚀法。

7.如权利要求3所述的电容器组件的制造方法，其特征在于，其中所述阀金属箔之材料为铝、钽、铌或钛金属。

8.如权利要求3所述的电容器组件的制造方法，其特征在于，其中在所述基材层上形成至少一预凹槽的步骤之中，更进一步包括形成一第一预凹槽延伸贯穿所述第一氧化皮膜层之顶面及其底面。

9.如权利要求3所述的电容器组件的制造方法，其特征在于，其中在所述基材层上形成至少一预凹槽的步骤之中，更进一步包括形成一第一预凹槽延伸贯穿所述第一氧化皮膜层之顶面及其底面，并形成一第二预凹槽延伸贯穿所述第二氧化皮膜层之顶面及其底面，而且所述第二预凹槽系相对于所述第一预凹槽。

10.如权利要求1所述的电容器组件的制造方法，其特征在于，其中系利用一预压机构在所述基材层上形成至少一预凹槽，并利用一钉接机构对至少一所述导针进行冲花，以及利用一压合机构对至少一所述导针针花进行压平。