[发明专利]一种掩模板在审
申请号: | 201410586860.8 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN104407496A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 王德帅;王亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模板 | ||
1.一种掩模板,包括透明基板,所述透明基板上设有半透膜层和挡光层以形成不透光区域、半透光区域和全透光区域,其特征在于,所述透明基板上还设有位于所述全透光区域周边的消光膜层、以减弱所述全透光区域周边透过的紫外光的强度。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述消光膜层位于所述半透膜层背离所述透明基板的一侧。
3.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述消光膜层为用于将透过其厚度方向的紫外光的相位延迟半个波长的反相膜。
4.根据权利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述消光膜层为二分之一波片。
5.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,所述消光膜层通过粘结层贴附于所述半透膜层上。
6.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述消光膜层为遮光层。
7.根据权利要求6所述的掩模板,其特征在于,所述遮光层为金属铬膜层。
8.根据权利要求1~7任一项所述的掩模板,其特征在于,所述消光膜层为封闭环形结构,且沿平行于透明基板的方向,所述环形消光膜层的内侧边与外侧边之间的间距为1~2um。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备