[发明专利]一种掩模板

说明书

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种掩模板。

背景技术

图1为现有大面积半透过掩模板曝光过程示意图，如图1所示，大面积半透过掩模板包括金属Cr遮挡的不透光区域A、半透光区域B、全透光区域C。通过常规半透膜掩模板曝光后底层形成不同光刻胶5厚度。

图2为图1中所示的基板显影后的光刻胶分布示意图，如图2所示，不透光区域A对应的未进行曝光的光刻胶5厚度为D，半透光区域B曝光的光刻胶5厚度为d，60为全透光区域C形成的过孔图形。

基板曝光显影后，形成的过孔60周边的光刻胶5为半透光区域对应的光刻胶5，曝光时，待形成过孔60的光刻胶5区域会受到其周边区域的紫外光3强度的影响，导致最终形成的过孔60大小受到很大影响，由于过孔60周边区域的紫外光3强度直接导致过孔60周边的光刻胶5厚度变化，所以过孔60的大小表现为受过孔60周边的光刻胶5的厚度变化影响大。

发明内容

本发明提供了一种掩模板，通过该掩膜板曝光形成的过孔的大小受过孔周边的光刻胶的厚度变化影响小。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种掩模板，包括透明基板，所述透明基板上设有半透膜层和挡光层以形成不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述透明基板上还设有位于所述全透光区域周边的消光膜层、以减弱所述全透光区域周边透过的紫外光的强度。

当紫外光通过上述掩膜板时，位于全透光区域周边的消光膜层可以减弱全透光区域周边透过的紫外光的强度，即消光膜层可以使基板待形成过孔的周边受到的紫外光强度减弱，因此，显影后形成的过孔受到其周边区域的紫外光强度的影响减小，同时，过孔周边区域的光刻胶厚度变化减小，因此，表现为过孔的大小受到过孔周边的光刻胶的厚度变化影响减小。

因此，通过上述掩膜板曝光显影形成的过孔的大小受过孔周边的光刻胶的厚度变化影响小。

优选地，所述消光膜层位于所述半透膜层背离所述透明基板的一侧。

优选地，所述消光膜层为用于将透过其厚度方向的紫外光的相位延迟半个波长的反相膜。

优选地，所述消光膜层为二分之一波片。

优选地，所述消光膜层通过粘结层贴附于所述半透膜层上。

优选地，所述消光膜层为遮光层。

优选地，所述遮光层为金属铬膜层。

优选地，所述消光膜层为封闭环形结构，且沿平行于透明基板的方向，所述环形消光膜层的内侧边与外侧边之间的间距为1～2um。

附图说明

图1为现有大面积半透过掩模板的曝光过程示意图；

图2为图1中所示的基板显影后的光刻胶分布示意图；

图3为本发明实施例提供的一种掩模板的结构示意图；

图4为图3中所示掩模板的曝光过程示意图；

图5为图4中所示的基板显影后的光刻胶分布示意图；

图6为本发明实施例提供的一种掩模板的消光膜层结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图3、图4、图5和图6，图3为本发明实施例提供的一种掩模板的结构示意图；图4为图3中所示掩模板的曝光过程示意图；图5为图4中所示的基板显影后的光刻胶分布示意图；图6为本发明实施例提供的一种掩模板的消光膜层结构示意图。

如图3、图4和图6所示，本发明实施例提供了一种掩模板1，包括透明基板8，所述透明基板8上设有半透膜层7和挡光层9以形成不透光区域A、半透光区域B和全透光区域C，所述透明基板8上还设有位于所述全透光区域C周边的消光膜层4、以减弱所述全透光区域C周边透过的紫外光3的强度。

如图4和图5所示，当紫外光3通过上述掩膜板1时，位于全透光区域C周边的消光膜层4可以减弱全透光区域C周边透过的紫外光3的强度，即消光膜层4可以使基板2待形成过孔6的周边受到的紫外光3强度减弱，因此，显影后形成的过孔6受到其周边区域的紫外光3强度的影响减小，同时，过孔6周边区域的光刻胶5厚度变化减小，因此表现为，过孔6的大小受到过孔6周边的光刻胶5的厚度变化影响减小。

因此，通过上述掩膜板1曝光显影形成的过孔6的大小受过孔6周边的光刻胶5的厚度变化影响小。