[发明专利]用于大面积基板处理系统的加载锁定腔室在审
申请号: | 201410587106.6 | 申请日: | 2009-08-27 |
公开(公告)号: | CN104392947A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | M·贝赫加德;栗田真一;稻川真;S·安瓦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 大面积 处理 系统 加载 锁定 | ||
本发明专利申请是国际申请号为PCT/US2009/055200,国际申请日为2009年8月27日,进入中国国家阶段的申请号为200980134693.0,名称为“用于大面积基板处理系统的加载锁定腔室”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施例一般涉及用于将大面积基板传送进真空处理环境中的加载锁定腔室。
背景技术
当处理基板以制造平面显示器、有机发光二极管(OLED)显示器、太阳能板(solar panel)及半导体时,可执行多个工艺以获得期望的最终产物。部分的工艺可在真空下进行。可以使用的真空工艺的实例包括等离子增强化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)、蚀刻及其他工艺。
当执行多个真空工艺时,具有耦接至一共同传送腔室的不同腔室是有利的。通过将数个处理腔室耦接至一共同的真空腔室,基板可以在第一腔室中进行第一工艺。接着,基板可移入传送腔室并接着置入进行不同的第二工艺的第二腔室。为了减少抽真空的时间,可以将传送腔室的真空度维持在近似于处理腔室的真空度。
在进行真空工艺之前及/或之后,基板可能会移动通过一非真空环境。基板可能通过一工厂界面(factory interface)而进入及离开系统,而该工厂界面是维持在大气压力下。因此,传送腔室与工厂界面之间的真空度可能存在有大幅度的变化。
加载锁定腔室可用于减少及/或预防此种大幅度的压力变化。加载锁定腔室可以抽气至与传送腔室大体上相同的压力,以允许基板进入及/或离开传送腔室。此外,加载锁定腔室可以通气至大气,因此加载锁定腔室的压力是与工厂界面的压力大体上相同。以此方式,加载锁定腔室可以减少及/或防止工厂界面与传送腔室之间的大幅度压力变化。
因此,该领域中需要一种能够维持真空的加载锁定腔室。
发明内容
本发明一般包括用于将大面积基板传送进入真空处理腔室的加载锁定腔室。所述加载锁定腔室可以具有一或多个分隔开且环境隔离的环境。各个处理环境具有数个用以抽吸真空的排气端口。所述排气端口可位于所述处理环境的角落。当基板自工厂界面而置入所述加载锁定腔室时,环境可能需要被排空(evacuate)。由于所述排气端口位于所述环境的角落,故可能存在的任何微粒或污染物可能会被抽吸至最接近的角落,而在不会被抽吸跨越所述基板的前提下,离开所述加载锁定腔室。因此,可降低基板的污染。
在一个实施例中,本发明一般包括用以将大面积基板传送进入真空处理腔室中的设备。所述设备可以包括具有数个侧面的腔室主体。所述腔室主体的尺寸可承接至少一个基板。可存在有一或多个开口,且所述一或多个开口的尺寸允许所述至少一个基板的置入及移除。数个开口的尺寸可允许腔室主体的排空及通气(vent)。
在另一个实施例中,一设备包括一传送腔室和一加载锁定腔室,所述加载锁定腔室耦接至所述传送腔室。所述加载锁定腔室包括一腔室主体,所述腔室主体具有穿过所述腔室主体而形成的数个开口。第一开口穿过第一壁而形成,且所述第一开口的尺寸允许基板通过其中。第二开口与所述第一开口分隔开,且穿过第二壁而形成,所述第二壁与所述传送腔室耦接,而所述第二开口的尺寸允许基板通过其中。各个第三及第四开口与所述第一及第二开口分隔开,并且穿过所述腔室主体而形成。所述第三及第四开口与一或多个真空泵耦接。
在另一个实施例中,一基板传送腔室包括:一腔室主体,所述腔室主体具有适于耦接至真空腔室的第一侧面、用于耦接至工厂界面的第二侧面、以及耦接所述第一及第二侧面的第三侧面;N个垂直堆栈的单一基板加载锁定腔室,形成一单一主体,并耦接至所述传送腔室,其中N为大于2的整数;N-1个内壁,每一个所述内壁将相邻的基板加载锁定腔室分隔开且环境隔离;以及数个开口,形成在N-1个所述内壁上,且所述开口的尺寸允许所述腔室主体的排空及通气,其中一或多个真空泵在所述数个开口处耦接至所述数个垂直堆栈的单一基板加载锁定腔室。
在另一个实施例中,一方法包括:将一基板放置在一加载锁定腔室中;使所述加载锁定腔室中的压力符合传送腔室中的压力;使用一或多个真空泵并通过位于所述加载锁定腔室中的分隔角落的一或多个开口以排空所述加载锁定腔室,其中气体通过具有最接近的开口的角落以及与所述角落耦接的所述真空泵而排空;以及通过机械手臂而传送来自所述加载锁定腔室的经处理基板。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造