[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410587117.4 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105632907B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金滕滕;杨勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供基底，在所述基底上依次形成粘附层和电极材料层，所述电极材料层的材料为金，所述粘附层的材料为Cr；
形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层；
在暴露的所述电极材料层的表面上形成图案化的第一光阻层；
以所述图案化的第一光阻层和所述保护层为掩膜，刻蚀所述电极材料层和粘附层，以形成电极；
去除所述图案化的第一光阻层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层为圆环形状。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述保护层的方法包括以下步骤：
在所述电极材料层上沉积形成保护材料层；
在所述保护材料层上形成图案化的第二光阻层，其中所述图案化的第二光阻层覆盖所述保护材料层的边缘区域；
以所述图案化的第二光阻层为掩膜，刻蚀所述保护层材料层直到暴露所述电极材料层，以形成所述保护层；
去除所述图案化的第二光阻层。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用磁控溅射工艺形成所述粘附层和电极材料层。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化物。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层的厚度为
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述粘附层和电极材料层之前，还包括在所述基底上沉积形成介电层的步骤。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀的方法对所述粘附层和所述电极材料层进行刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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