[发明专利]一种半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供基底，在所述基底上依次形成粘附层和电极材料层；形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层；在暴露的所述电极材料层的表面上形成图案化的第一光阻层；以所述图案化的第一光阻层和所述保护层为掩膜，刻蚀所述电极材料层和粘附层，以形成电极；去除所述图案化的第一光阻层。根据本发明的制作方法，在湿法刻蚀过程中，避免了对于边缘的粘附层和电极材料层的刻蚀速率比中心的刻蚀速率高的问题的发生，故不会在晶圆的边缘产生薄弱点，导致电极剥离，进而提高了器件的良率和性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及特别涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

金由于其优良的传导特性和化学惰性被广泛应用于半导体器件中的电连接材料。但是由于金在非金属材料上的吸附性较差，导致不能制备较厚的金电极层，从而影响了电极的电传导性能。除此之外，金在非金属薄膜上较差的吸附性，也严重影响了对金电极的精细加工，不利于金作为电极器件的小型化发展。目前为了解决金电极吸附性差的问题，往往采用微合成工艺例如磁控溅射和蒸镀等工艺沉积形成金电极时，在其下方形成一层粘附层(例如，铬)，以增加金电极与不同界面之间的附着力。

在金电极制备的过程中，还需要对其进行湿法刻蚀，而湿法刻蚀对于晶圆边缘的Au/Cr的刻蚀速率比晶圆中心的刻蚀速率高。故在晶圆边缘的薄弱点，则很可能引起金电极的剥离，进而影响器件的性能和良率。

因此，有必要提出一种新的半导体器件的制作方法，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供基底，在所述基底上依次形成粘附层和电极材料层；

形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层；

在暴露的所述电极材料层的表面上形成图案化的第一光阻层；

以所述图案化的第一光阻层和所述保护层为掩膜，刻蚀所述电极材料层和粘附层，以形成电极；

去除所述图案化的第一光阻层。

进一步，所述粘附层的材料为Cr。

进一步，所述电极材料层的材料为金。

进一步，所述保护层为圆环形状。

进一步，形成所述保护层的方法包括以下步骤：

在所述电极材料层上沉积形成保护材料层；

在所述保护材料层上形成图案化的第二光阻层，其中所述图案化的第二光阻层覆盖所述保护材料层的边缘区域；

以所述图案化的第二光阻层为掩膜，刻蚀所述保护层材料层直到暴露所述电极材料层，以形成所述保护层；

去除所述图案化的第二光阻层。

进一步，采用磁控溅射工艺形成所述粘附层和电极材料层。

进一步，所述保护层的材料为氧化物。

进一步，所述保护层的厚度为

进一步，在形成所述粘附层和电极材料层之前，还包括在所述基底上沉积形成介电层的步骤。

进一步，采用湿法刻蚀的方法对所述粘附层和所述电极材料层进行刻蚀。