[发明专利]镭射全息防伪局部压印转移技术

权利要求书

1.一种镭射全息防伪局部压印转移技术，包括如下步骤：

1.大张制作方法：按PVC卡制作工艺，先设计、排版、胶印印刷和层合工艺，将大张PVC制作成层合后的大张PVC卡半成品； 

2.局部UV制作：

2.1绷网：

丝印绷网时，先对网框进行清洁处理，并使网框上的丝网经纬垂直，所述丝网采用250目的丝网，丝网中心张力为30-35N/cm；用单黄胶将网框与250目的丝网的表层各涂一次，然后自然干燥，时间为24小时；

2.2晒版：

在网框的框面涂感光胶一遍，框底涂二遍，且感光胶刮层均匀，然后放入烘箱内干燥10分钟，烘箱温度35-45℃，优选温度为40℃，将菲林片药膜面朝上，以及网框平放入曝光机内抽气曝光，曝光时间1.5-3分钟，优选时间为2分钟，曝光后用常规气压水冲洗丝网网版至图案清晰，放入干澡机烘干，烘干时间为10分钟；

2.3丝网印刷：

2.3.1采用UV哑膜光油； 

2.3.2丝印印刷，所述丝印印刷气压为0.45-5MPA，刮刀压力为0.2N，将PVC卡半成品用UV哑膜光油做局部处理，丝印印刷后的UV哑膜光油厚度为0.2MM；

3.镭射全息局部转移制作：

转印机安装镭射膜，开启紫外线光固机，待uv灯值达55-65 mJ/cm²时开始生产，要求把步骤2.3.2做好的PVC卡半成品与镭射膜同方向垂直放入转移机中进行光固，生产速度2500转/小时，光固后自然剥离收平整存放好，待自然冷却后转入后工序进行冲卡、检验制作成成品卡；

    上述步骤2.3.1的UV哑膜光油采用如下配方制成：称取以重量百分比计的聚氯乙烯树脂20-30%、丙烯酸树酯15-20%、环己酮20-30%和丙二醇甲醚醋酸酯20-30%搅拌混合均匀，然后再加入助剂3-5%搅拌混合均匀，所述助剂为活性胺，1-羟基环已基苯基酮，有机硅消泡剂和有机硅流平剂，且按重量比为8:6:1:1配制而成的。

2.如权利要求1所述的镭射全息防伪局部压印转移技术，其特征在于上述UV哑膜光油还可包含纳米二氧化钛和可分散超细二氧化硅，纳米二氧化钛的添加量以重量百分比计为2-3%，可分散超细二氧化硅的添加量以重量百分比计为1-2%，二氧化硅的颗粒粒径在100 -400 nm之间，可分散超细二氧化硅采用如下方法制备：在配有恒速搅拌器的5升容器中，加入含200g二氧化硅的滤饼加入5g甲基乙撑十八醇基硼酸酯·硬脂酸三乙醇胺配合物，在70℃下恒速搅拌20分钟，然后移入鼓风干燥箱中在100℃下干燥，待干燥后在150℃下活化1h，得到可分散超细二氧化硅产品。

3.如权利要求2所述的镭射全息防伪局部压印转移技术，其特征在于上述UV哑膜光油的优选配方为聚氯乙烯树脂25%、丙烯酸树酯17%、环己酮25%、纳米二氧化钛2.5%、可分散超细二氧化硅1.7%和丙二醇甲醚醋酸酯25%搅拌混合均匀，然后再加入助剂3.8%搅拌混合均匀，所述助剂为活性胺，1-羟基环已基苯基酮，有机硅消泡剂和有机硅流平剂，且按重量比为8:6:1:1配制而成的。