[发明专利]VNSAK多肽及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及VNSAK多肽及其应用。

背景技术

肿瘤生物治疗是继手术、放疗、化疗之后的第四种治疗模式。肿瘤细胞免疫治疗是肿瘤生物治疗领域最为切实的方法之一，由于肿瘤抗原的多态性决定了根治肿瘤不可能仅依靠一种方式。肿瘤免疫治疗主要通过治疗性疫苗激发和增强机体的免疫机能，以达到控制和杀灭肿瘤细胞的目的。

树突状细胞(dendritic cell，DC)作为一种骨髓来源的抗原提呈细胞(antigen-presenting cell,APC)，具有强大的抗原递呈能力，可将抗原肽表达到树突状细胞的抗原递呈分子(MHC I和MHC II)，并分别激活CD4、CD8T细胞，能够诱导细胞毒性T淋巴细胞(CTL细胞)生成，非常适用于多种肿瘤的免疫治疗。

CTL细胞通过其表面的T细胞受体(TCR)特异性识别抗原递呈细胞表面的主要组织相容性复合体(MHC)-I类分子-肽复合物而得以活化，并最终杀伤靶细胞。现有研究结果表明，引起CTL免疫应答反应的并非完整的肿瘤抗原分子，而是抗原来源的特异性CTL表位，其中与MHC-I类分子特异性结合的CTL表位在CTL活化中起关键作用。但是，免疫原性弱和免疫耐受的存在是CTL表位作为肿瘤治疗性多肽疫苗应用的两大障碍。因此，如何提高CTL表位的免疫原性并打破机体对CTL表位的免疫耐受成为肿瘤治疗性多肽疫苗发展的关键，也是基于表位开发疫苗的主要原因。

发明内容

本发明的目的是提供VNSAK多肽及其应用。

本发明提供了一种VNSAK多肽，自N端至C端依次包括抗原表位区段和内质网滞留基序区段；所述抗原表位区段包括SART3-109表位、HNRPL-501表位和NY-ESO-1表位；所述SART3-109表位如序列表的序列1自N末端第1至10位氨基酸残基所示，所述HNRPL-501表位如序列表的序列1自N末端第11至20位氨基酸残基所示，所述NY-ESO-1表位如序列表的序列1自N末端第21至29位氨基酸残基所示，所述内质网滞留基序区段如序列表的序列1自N末端第33至36位氨基酸残基所示。

所述抗原表位区段自N端至C端依次由所述SART3-109表位、所述HNRPL-501表位和所述NY-ESO-1表位组成。

所述VNSAK多肽还包括所述抗原表位区段和所述内质网滞留基序区段之间的连接肽；所述连接肽如序列表的序列1自N末端第30至32位氨基酸残基所示。

所述VNSAK多肽具体可如序列表的序列1所示。

本发明还保护一种特异DC细胞，为负载有以上任一所述VNSAK多肽的DC细胞。

所述DC细胞具体可为来自HLA-A＊0201阳性的人的离体DC细胞、来自HLA-A24阳性的人的离体DC细胞、来自HLA-A2阳性的人的离体DC细胞、来自HLA-A26阳性的人的离体DC细胞或来自HLA-A3阳性的人的离体DC细胞。

所述特异DC细胞的制备方法具体如下：

(1)取离体的人外周血单个核细胞，用RPMI-1640培养液制备得到4×10⁶-6×10⁶个细胞/ml(具体可为5×10⁶个细胞/ml)的细胞悬液；

(2)将步骤(1)得到的细胞悬液加入细胞培养瓶中并培养2h，然后弃除细胞培养瓶中的液相体系，然后在细胞培养瓶中加入含500-1000U/ml(具体可为750U/ml)rhGM-CSF和500-1000U/ml(具体可为750U/ml)rhIL-4的RPMI-1640培养液并培养144小时，其中培养72小时后用含500-1000U/ml(具体可为750U/ml)rhGM-CSF和500-1000U/ml(具体可为750U/ml)rhIL-4的RPMI-1640培养液半量换液；

(3)完成步骤(2)后，在培养体系中加入TNF-α并使其浓度为500-1000U/ml(具体可为750U/ml)，培养24小时；

(4)完成步骤(3)后，在培养体系中加入以上任一所述的VNSAK多肽并使其浓度为10mM，培养2小时；

(5)完成步骤(4)后，取培养体系，用30Gy剂量的60Co-γ射线进行辐照处理，得到含有所述特异DC细胞的液相体系。