[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201410597037.7 | 申请日: | 2014-10-29 |
公开(公告)号: | CN104393002A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 张颖;丁欣;陈甫;刘建辉;董康旭;刘祖宏;吴代吾;侯智 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
在液晶显示面板生产过程中,需要形成包括栅极、源极、漏极、有源层等膜层结构的薄膜晶体管阵列基板。请参考图1,图1为现有技术中的薄膜晶体管阵列基板的一结构示意图,该薄膜晶体管阵列基板包括衬底基板101以及形成在衬底基板101上的栅极102、栅绝缘层103、有源层104、源漏极105、钝化层106和像素电极107。
现有的薄膜晶体管的制作工艺中,各膜层在平坦的衬底基板101表面堆叠,栅极102图形边缘处会使后续膜层在该处产生段差,易使后续膜层在该位置断裂,从而造成栅极与源漏间漏电,影响关态电流(Ioff)等重要的薄膜晶体管性能参数。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够提升显示基板整体结构的平坦度,从而提高显示基板的性能。
为解决上述技术问题,本发明提供一种显示基板,包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上且与所述衬底基板直接接触的膜层图形,所述衬底基板表面设置有沟槽,所述膜层图形设置于所述沟槽内。
优选地,所述膜层图形填平所述沟槽。
优选地,所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板,所述膜层图形为栅极图形或有源层图形。
优选地,所述膜层图形为栅极图形,所述显示基板具体包括:
衬底基板,以及依次设置于所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极、钝化层和像素电极,其中,所述衬底基板表面设置有沟槽,所述栅极图形设置于所述沟槽内。
优选地,所述衬底基板为玻璃基板。
本发明还提供一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板的表面形成沟槽;
在所述沟槽内形成填平所述沟槽的膜层图形。
优选地,所述在所述衬底基板的表面形成沟槽的步骤包括:
在所述衬底基板的表面涂敷光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光和显影,形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域,所述光刻胶去除区域对应所述膜层图形区域;
采用刻蚀工艺刻蚀所述光刻胶完全去除区域的衬底基板,形成沟槽,所述沟槽的尺寸与后续需要形成的膜层图形的尺寸相同;
去除所述光刻胶保留区域的光刻胶。
优选地,所述在所述沟槽内形成填平所述沟槽的膜层图形的步骤包括:
在形成有所述沟槽的衬底基板上形成一整层膜层,其中,形成于所述沟槽之上的膜层的厚度高于所述沟槽的深度;
采用刻蚀工艺刻蚀掉所述沟槽之外的膜层,形成位于所述沟槽内且填平所述沟槽的膜层图形。
优选地,所述整层膜层的厚度至少是所述沟槽的深度的1.2倍。
优选地,所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板,所述膜层图形为栅极图形或有源层图形。
本发明还提供一种显示装置,包括上述显示基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
在衬底基板表面设置沟槽,将与衬底基板直接接触的非整层膜层结构的膜层图形设置于沟槽内,以减少后续形成的膜层在该膜层图形处产生的段差,提升了显示基板的结构整体平坦度,提高了显示基板的性能。
附图说明
图1为现有技术中的薄膜晶体管阵列基板的一结构示意图;
图2为本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的一结构示意图;
图3-1至3-11为图2中的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明实施例提供一种显示基板,包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上且与所述衬底基板直接接触的膜层图形,所述衬底基板表面设置有沟槽,所述膜层图形设置于所述沟槽内。
所述膜层图形非整层膜层结构。
本发明实施例中,在衬底基板表面设置沟槽,将与衬底基板直接接触的非整层膜层结构的膜层图形设置于沟槽内,以减少后续形成的膜层在该膜层图形处产生的段差,提升了显示基板的结构整体平坦度,提高了显示基板的性能。
优选地,所述膜层图形填平所述沟槽,以消除后续形成的膜层在该膜层图形处产生的段差,进一步提升了显示基板的结构整体平坦度,提高了显示基板的性能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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