[发明专利]一种用于平坦化浅沟槽隔离结构的方法

权利要求书

1.一种用于平坦化浅沟槽隔离结构的方法，包括：

提供晶圆，其中所述晶圆包括半导体衬底和在所述半导体衬底中形成的 沟槽，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，并且所述硬掩膜层上和所述沟槽 内形成有介电层；

研磨所述介电层的一部分；

对所述晶圆执行第一清洗步骤；以及

研磨剩余的介电层和所述硬掩膜层的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗步骤包括：

采用氨水结合超声波清洗所述晶圆；

采用氢氟酸清洗所述晶圆；以及

采用去离子水清洗所述晶圆并将其烘干。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一压盘上研磨所述介 电层的一部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第二压盘上研磨剩余的 介电层和所述硬掩膜层的至少一部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在 研磨剩余的介电层和所述硬掩膜层的至少一部分之后，研磨所述晶圆的表面 以去除所述晶圆上的研磨残留物。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在第三压盘上研磨所述晶 圆的表面。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在 研磨所述晶圆的表面之后，对所述晶圆执行第二清洗步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二清洗步骤包括：

采用氨水结合超声波清洗所述晶圆；

采用氢氟酸清洗所述晶圆；以及

采用去离子水清洗所述晶圆并将其烘干。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底和所述 硬掩膜层之间形成有缓冲氧化层。

10.一种用于平坦化浅沟槽隔离结构的方法，包括：

提供晶圆，其中所述晶圆包括半导体衬底和在所述半导体衬底中形成的 沟槽，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，并且所述硬掩膜层上和所述沟槽 内形成有介电层；

对所述晶圆执行第一清洗步骤；以及

研磨所述介电层和所述硬掩膜层的至少一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一清洗步骤包括：

采用氨水结合超声波清洗所述晶圆；

采用氢氟酸清洗所述晶圆；以及

采用去离子水清洗所述晶圆并将其烘干。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，研磨所述介电层和所述 硬掩膜层的至少一部分包括：

在第一压盘上研磨所述介电层的一部分；

在第二压盘上研磨剩余的介电层和所述硬掩膜层的所述至少一部分。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括： 在研磨所述介电层和所述硬掩膜层的至少一部分之后，研磨所述晶圆的表面 以去除所述晶圆上的研磨残留物。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在第三压盘上研磨所述 晶圆的表面。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括： 在研磨所述晶圆的表面之后，对所述晶圆执行第二清洗步骤。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第二清洗步骤包括：

采用氨水结合超声波清洗所述晶圆；

采用氢氟酸清洗所述晶圆；以及

采用去离子水清洗所述晶圆并将其烘干。

17.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底和所 述硬掩膜层之间形成有缓冲氧化层。