[发明专利]具有嵌入式ROM的SRAM

权利要求书

1.一种集成电路，包括存储单元阵列，存储单元阵列包括第一存储单元，所述第一存储单元包括：

第一和第二传输晶体管，第一和第二传输晶体管分别包括连接到字线的栅极；

第一反相器，其包括：

第一上拉晶体管，第一上拉晶体管包括连接到第一电压电源的源极和连接到第一阱偏置电压的体结；以及

所述第一反相器的输出通过所述第一传输晶体管耦合于第一互补位线；以及

第二反相器，其包括：

第二上拉晶体管，第二上拉晶体管包括连接到所述第一电压电源的源极和连接到第二阱偏置电压的体结，当只读存储器使能信号被设置为第一状态时所述第一阱偏置电压大于所述第二阱偏置电压，以及

所述第二反相器的输出通过所述第二传输晶体管耦合于第一真实位线。

2.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

在所述存储单元阵列中的第二存储单元，所述第二存储单元包括：

第三和第四传输晶体管，第三和第四传输晶体管分别包括连接到所述字线的栅极；

第三反相器，包括：

第三上拉晶体管，第三上拉晶体管包括连接到所述第一电压电源的源极和连接到所述第一阱偏置电压的体结；以及

所述第三反相器的输出通过所述第三传输晶体管耦合于第二真实位线；以及

第四反相器，包括：

第四上拉晶体管，第四上拉晶体管包括连接到所述第一电压电源的源极和连接到所述第二阱偏置电压的体结，以及

所述第四反相器的输出通过所述第四传输晶体管耦合于第二互补位线。

3.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

被配置为向所述存储单元阵列提供所述只读存储器使能信号的存储控制器。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中当所述只读存储器使能信号处于第二状态时，所述第二阱偏置电压等于所述第一阱偏置电压并且所述第一和第二存储单元在静态随机存取存储器模式下操作。

5.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

处理器，耦合于存储模块，所述存储模块包括所述存储单元阵列和被配置为向所述存储单元阵列提供所述只读存储器使能信号的存储控制器。

6.根据权利要求5所述的集成电路，进一步包括：

所述第一和第二传输晶体管的体结耦合于接地电压。

7.根据权利要求1所述的集成电路，所述第一存储单元进一步包括：

第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，第一下拉晶体管耦合于所述第一反相器中的所述第一上拉晶体管，第二下拉晶体管耦合于所述第二反相器中的所述第二上拉晶体管，所述第一、第二下拉晶体管的体结耦合于第一接地而所述第一、第二下拉晶体管的源极耦合于第二接地。

8.根据权利要求2所述的集成电路，所述第二存储单元进一步包括：

第三下拉晶体管和第四下拉晶体管，第三下拉晶体管耦合于所述第三反相器中的所述第三上拉晶体管，第四下拉晶体管耦合于第四反相器中的所述第四上拉晶体管，所述第三、第四下拉晶体管的体结耦合于第一接地而所述第三、第四下拉晶体管的源极耦合于第二接地。

9.根据权利要求2所述的集成电路，进一步包括：

当所述只读存储器使能信号处于所述第一状态时，所述第一存储单元输出逻辑高电平；以及

当所述只读存储器使能信号处于所述第一状态时，所述第二存储单元输出逻辑低电平。