[发明专利]衬底结构、CMOS器件和制造CMOS器件的方法有效
| 申请号： | 201410601952.9 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104600070B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 梁炆承;穆罕默德·拉基布·乌丁;李明宰;李商文;李成训;赵成豪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 cmos 器件 制造 方法 | ||
1.一种互补金属氧化物半导体器件，包括：
衬底；
至少一个晶种层，其设置在所述衬底上并由包括硼(B)和/或磷(P)的材料形成；
直接位于所述晶种层上的至少一个缓冲层；
用于第一类型晶体管的第一层，所述第一层设置在所述缓冲层上；
用于第二类型晶体管的第二层，所述第二层与所述第一层间隔开并且直接设置在所述缓冲层或所述衬底上；以及
位于所述第一层与所述第二层之间的绝缘层。
2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述晶种层具有包括硼(B)、BGe、BSiGe、P、PGe、PSiGe、B:Ge、B:SiGe、P:Ge或P:SiGe的至少一层。
3.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述缓冲层具有包括锗(Ge)、SiGe或GeSn的至少一层。
4.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述衬底是硅衬底。
5.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述晶种层的厚度在大于0nm至100nm的范围内。
6.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述缓冲层的厚度在大于0μm至3μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述第一层包括InGaAs、InP、InSb、InGaSb、GaSb和InAs中的至少一个。
8.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述第二层包括锗(Ge)。
9.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述第一类型的晶体管包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管，并且所述第二类型的晶体管包括p型金属氧化物半导体场效应晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
