[发明专利]半导体发光器件有效
申请号: | 201410602442.3 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN104465935B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 勝野弘;三木聪;岡俊行;布上真也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/38 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 杨晓光,于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件包括:
层叠结构体,包括:
第一导电类型的第一半导体层,具有第一部分和第二部分,所述第二部分在平行于所述第一半导体层的层表面的面中与所述第一部分并置,
在所述第二部分上提供的发光层,以及
在所述发光层上提供的第二导电类型的第二半导体层;
所述层叠结构体具有在所述第一半导体层一侧的第一主表面和在所述第二半导体层一侧的第二主表面,
所述层叠结构体具有从所述第二主表面到达所述第一半导体层的凹面部件,
第一电极,包括接触部件和过孔部件,所述接触部件设置在所述第一部分上并与所述凹面部件中的所述第一半导体层接触,所述过孔部件与所述接触部件的一部分电连接,所述过孔部件从所述接触部件的所述一部分朝向与所述层叠结构体的所述第一半导体层相反的一侧延伸;
第二电极,包括:
第一部件,设置在所述第二半导体层上并与所述第二半导体层接触,所述第一部件对所述光是反射的,以及
第二部件,与所述第一部件电连接并包括当从所述第一半导体层向所述第二半导体层的层叠方向看时覆盖所述接触部件的另一部分的部分;
介电体部件,设置在所述接触部件和所述第二部件之间,所述介电体部件包括嵌入在所述凹面部件中的部分,所述介电体部件在所述第一电极和所述第二电极之间以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间绝缘;以及
衬垫电极,与所述第一电极的所述过孔部件电连接,所述衬垫电极位于与所述层叠结构体的所述第一半导体层相反的一侧;
所述介电体部件的一部分位于所述接触部件的所述另一部分与所述第二部件之间,
当从所述层叠方向看时所述第二电极的覆盖所述发光层的区域的面积大于接触所述第一半导体层的所述接触部件的面积。
2.根据权利要求1的器件,其中
所述发射层发射光,以及
从所述第一主表面离开到外部的光的量大于从所述第二主表面离开的光的量。
3.根据权利要求1的器件,其中
所述第一半导体层包括在所述第一主表面上提供的不平坦部件,以及
所述不平坦部件具有比从所述发光层发射的光的峰值波长更长的节距。
4.根据权利要求1的器件,其中所述第二电极包括镀敷金属。
5.根据权利要求1的器件,其中所述发光层发射的所述光的峰值波长不小于370纳米且不大于400纳米。
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