[发明专利]半导体发光器件

说明书

本申请是申请日为2012年1月19日、申请号为201210017796.2、发明名称为“半导体发光器件”的专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2011年5月16日提交的在先的日本专利申请No.2011-109921的优先权，在此引入其整个内容作为参考。

技术领域

这里描述的实施例一般地涉及半导体发光器件。

背景技术

关于半导体发光器件，例如LED(发光二极管)，存在一种结构其中例如在蓝宝石衬底上形成的晶体层与导电衬底接合，然后移除蓝宝石衬底。在此结构中，为了增强光提取效率，对通过移除蓝宝石衬底而暴露的晶体层的表面进行不平坦化处理。另外，还有一种结构，其中在将成为光提取面的晶体层的表面上没有形成电极并且在与移除了蓝宝石衬底的表面相对的晶体平面上形成p侧电极和n侧电极。在这样的发光器件中，要求通过增强散热性能进一步提高光提取效率。

发明内容

一般地，根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一导电类型的第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和在与所述第一半导体层的层表面平行的面中与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二导电类型的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一半导体层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二半导体层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一半导体层向所述第二半导体层的层叠方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。

附图说明

图1为示出了半导体发光器件的示意截面图；

图2为示出了半导体发光器件的示意平面图；

图3A和3B是局部放大图，每一个都示出了不平坦部件；

图4为示出了根据参考实例的半导体发光器件的示意截面图；

图5A到7B为顺序示出了半导体发光器件的制造方法的示意截面图；

图8为示出了半导体发光器件的示意截面图；

图9为示出了半导体发光器件的示意平面图；

图10为示出了半导体发光器件的示意平面图；以及

图11为示出了半导体发光装置的示意截面图。

具体实施方式

下文中将参考附图描述不同的实施例。

附图是示意性的或概念性的；每部分的厚度和宽度之间的关系，以及每部分之间的尺寸比例等等不必与实际值相同。另外，在图中，相同的部分可能显示不同的尺寸和比例。

(第一实施例)

图1是示出了根据第一实施例的半导体发光器件的配置的示意截面图。

图2是示出了根据所述第一实施例的半导体发光器件的配置的示意平面图。

这里，图1示出了沿图2中的线A-A’的示意截面图。

如图1所示，根据第一实施例的半导体发光器件110包括层叠结构体100、第一电极50、第二电极60以及第一介电体部件40。

层叠结构体100包括第一导电类型的第一半导体层10，与第一半导体层10的一部分面对的第二导电类型的第二半导体层20以及在第一半导体层10和第二半导体层20的一部分之间提供的发光层30。

第一导电类型是，例如，n型。第二导电类型是，例如，p型。第一导电类型可以是p型并且第二导电类型可以是n型。在实施例中，以第一导电类型是n型并且第二导电类型是p型的情况为例。

层叠结构体100在第一半导体层10一侧具有第一主表面100a并且在第二半导体层20一侧面具有第二主表面100b。另外，第一半导体层10的一部分被暴露到第二主表面100b侧。该部分是第一半导体层10的暴露部件10e。

第一电极50包括与在暴露部件10e处的第一半导体层10接触的接触部件51。第二电极60在第二主表面100b处与第二半导体层20接触。

第二电极60包括在第二主表面100b处与第二半导体层20接触的第一部件61以及第二部件62，第二部件62与第一部件61电连接并包括沿从第一半导体层10向第二半导体层20的层叠方向看时覆盖接触部件51的部分。

这里，在实施例中，Z-轴方向指连接第一半导体层10和第二半导体层20的方向，X-轴方向指与Z-轴方向正交的两个方向中的一个方向，Y-轴方向指正交于Z和X-轴方向的方向。层叠方向沿Z-轴方向。