[发明专利]一种低VOC含量的抗冲聚丙烯的制备方法

权利要求书

1.一种低VOC含量抗冲聚丙烯的制备方法，包括以下阶段：

丙烯均聚阶段：在包含第一外给电子体的齐格勒-纳塔催化剂和氢气的存在下进行丙烯均聚反应，得到包含均聚聚合物A和催化剂的料流1；

丙烯共聚阶段：在所述料流1和第二外给电子体的存在下进行丙烯与α-烯烃的共聚反应，得到包含均聚聚合物A和共聚聚合物B的聚丙烯料流2；

其中，所述第一外给电子体为二乙基氨基三乙氧基硅烷，第二外给电子体为二烷氧基硅烷，所述第二外给电子体和所述第一外给电子体的摩尔比为5-20；

所述齐格勒-纳塔催化剂还包含含钛的主催化剂组分和有机铝化合物助催化剂组分；所述有机铝化合物与所述第一外给电子体的摩尔比为30；在所述丙烯共聚阶段使用低于所述丙烯均聚阶段的氢气用量，或者不加氢气。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二外给电子体选自化学通式为R³R⁴Si(OR⁵)₂的二烷氧基硅烷化合物中的至少一种；其中，R³和R⁴各自独立地选自C₁-C₁₂直链的、支化的或环状的脂族基团或C₃-C₁₂含氮的环状有机基团；R⁵为C₁-C₄直链的或支化的脂族基团。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述主催化剂组分还包含镁、卤素和内给电子体；所述内给电子体选自二酯类、醚类、琥珀酸酯类、1,3-醇酯类和磺酰胺类化合物中的至少一种；所述有机铝化合物为烷基铝化合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述有机铝化合物与所述第二外给电子体的摩尔比以铝/硅计为1:1～60:1。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有机铝化合物与所述第二外给电子体的摩尔比以铝/硅计为1:1～10:1。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述丙烯均聚阶段，氢气的浓度为1000-20000ppm。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述丙烯均聚阶段，氢气的浓度优为2000-10000ppm。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述均聚聚合物A中，M_w≤500的组分重量含量为0.5～40ppm；和/或M_w/M_n小于或等于5.0，大于2.0。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述α-烯烃选自乙烯、1-丁烯、1-己烯和1-辛烯中的至少一种；并且在所述丙烯均聚阶段，丙烯均聚反应原料中任选地包含0～10重量％的α-烯烃，基于丙烯与α-烯烃的总重量计。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述丙烯均聚阶段，在均聚反应之前，将所述齐格勒-纳塔催化剂进行预络合和/或预聚合；在共聚反应之前，将所述料流1与所述第二外给电子体进行预混合，以使所述料流1中的齐格勒-纳塔催化剂与所述第二外给电子体发生络合反应。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述丙烯均聚阶段和丙烯共聚阶段在两个或两个以上串联的反应器中连续进行，并且所述第二外给电子体在进入丙烯共聚阶段的反应器之前或者在丙烯共聚阶段的反应器的进料端与所述料流1混合。