[发明专利]一种双银LOW-E镀膜玻璃无效

申请号：	201410606726.X	申请日：	2014-10-30
公开（公告）号：	CN104385702A	公开（公告）日：	2015-03-04
发明（设计）人：	陈圆;禹幸福	申请（专利权）人：	中山市亨立达机械有限公司
主分类号：	B32B9/04	分类号：	B32B9/04;B32B17/00;B32B15/00;B32B15/20;B32B33/00
代理公司：	中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 44327	代理人：	石仁
地址：	528400 广东省中山市火***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种 low 镀膜玻璃
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【权利要求书】：

1.一种双银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有Si_xN_y基膜层、第一TiO_x膜层、第一NiCr阻挡层、第一Cu介质层、第一Ag层、第二NiCr阻挡层、第一ZnSnO₃膜层、第三NiCr阻挡层、第二Cu介质层、第二Ag层、第四NiCr阻挡层、第二ZnSnO₃膜层、第二TiO_x膜层、以及Si_xN_y顶膜层。

2.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述Si_xN_y基膜层的厚度为15～30nm，所述Si_xN_y顶膜层的厚度为25～35nm。

3.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一TiO_x膜层的厚度为25～35nm，第二TiO_x膜层的厚度为15～25nm。

4.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一NiCr阻挡层的厚度为2～10nm，第二NiCr阻挡层的厚度为2～8nm，第三NiCr阻挡层的厚度为8～15nm，第四NiCr阻挡层的厚度为1～10nm。

5.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一Cu介质层和第二Cu介质层的厚度为5～10nm。

6.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一Ag层和第二Ag层的厚度为1～2nm。

7.根据权利要求1所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述第一ZnSnO₃膜层和第二ZnSnO₃膜层为15～25nm。

8.根据权利要求1或2所述的一种双银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于：所述Si_xN_y基膜层、所述Si_xN_y顶膜层为Si₃N₄保护层。

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