[发明专利]提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存在审
| 申请号： | 201410608566.2 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104461379A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨艳伟;罗新法 | 申请（专利权）人： | 上海华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G11C29/42 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 200121 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 nand 闪存 稳定性 方法 | ||
1.一种提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，包括：
确定对NAND闪存的访问操作；
当所述访问操作为读操作时，判断所述读操作的对象页的错误检查和纠正编码(ECC)错误比特是否可纠正，若否，则记录所述读操作的对象页处于老化状态；
当所述访问操作为擦除操作时，判断所述擦除操作的对象块中是否包含处于老化状态的页，若是，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。
2.根据权利要求1所述的提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若所述读操作的对象页的ECC错误比特可纠正，则判断所述读操作的对象页的ECC错误比特值是否大于等于预置数值，若是，则记录所述读操作的对象页处于老化状态。
3.根据权利要求1所述的提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若所述擦除操作的对象块不包含处于老化状态的页，则执行擦除操作；
若所述擦除操作不成功，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。
4.根据权利要求1所述的提高NAND闪存的稳定性的方法，其特征在于，
所述NAND闪存中每个存储单元大于或者等于2比特。
5.一种NAND闪存，其特征在于，包括：
确定模块，用于确定对NAND闪存的访问操作；
判断模块，用于当所述访问操作为读操作时，判断所述读操作的对象页的ECC错误比特是否可纠正；还用于当所述访问操作为擦除操作时，判断所述擦除操作的对象块中是否包含处于老化状态的页；
执行模块，用于当所述判断模块确定所述读操作的对象页的ECC错误比特可纠正时，记录所述读操作的对象页处于老化状态；还用于当所述判断模块确定所述擦除操作的对象块中包含处于老化状态的页时，停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。
6.根据权利要求5所述的NAND闪存，其特征在于，
所述判断模块还用于当确定所述读操作的对象页的ECC错误比特可纠正时，判断所述读操作的对象页的ECC错误比特值是否大于等于预置数值；
所述执行模块还用于当所述判断模块确定所述读操作的对象页的ECC错误比特值大于等于预置数值时，记录所述读操作的对象页处于老化状态。
7.根据权利要求5所述的NAND闪存，其特征在于，
所述执行模块还用于当所述判断模块确定所述擦除操作的对象块不包含处于老化状态的页，执行擦除操作；还用于在所述擦除操作不成功时，停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。
8.根据权利要求5所述的NAND闪存，其特征在于，
所述NAND闪存中每个存储单元大于或者等于2比特。
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