[发明专利]提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存。

背景技术

多层单元闪存(英文：Multi-Level Cell NAND，MLC NAND)的特点是容量大成本低，存储不稳定，出错的几率较大，需要进行错误修正才能使用。大容量的MLC NAND一般采用可以纠错的错误检查和纠正(英文：Error Correcting Code，缩写：ECC)编码来保证存储数据的完整性。

然而，随着MLC NAND的存储单元进行写擦除操作的次数增多，MLC NAND的寿命会逐渐降低，导致MLC NAND中数据存储不可靠。固态存储设备(英文：Solid State Drive，缩写：SSD)中的NAND常用的一种解决方法如下。假定距离SSD的一些数据的上次写入已有一段时间，当SSD加电时，在SSD中启动后台任务来扫描NAND中所有数据。在该后台任务中，在驱动器的空闲时期内，驱动器的整个内容都被读取。当某个位置被读取时，如果在施加对错误的校正之前该位置的错误比特超过“比特错误阈值”，则可以假定该位置只是勉强地保存着数据，因此刷新/重写NAND位置，也即校正后的数据应当被重写到新的位置，但也有可能重写到当前位置。

然而，上述处理过程比较复杂，需要搬移数据。而且后台任务和正常输入/输出(英文：input/output，缩写：I/O)命令不能同时执行，因此上述后台任务运行时会增加正常I/O命令的响应时间。而且，校正后的数据有可能被写到当前位置，导致该当前位置存储的数据可能不稳定。

发明内容

本发明实施例提供了一种提高NAND闪存的稳定性的方法和NAND闪存，用于解决NAND反复写入/擦除导致数据存储不可靠的问题。

本发明实施例第一方面提供一种提高NAND闪存的稳定性的方法，包括：

确定对NAND闪存的访问操作；

当所述访问操作为读操作时，判断所述读操作的对象页的ECC错误比特是否可纠正，若否，则记录所述读操作的对象页处于老化状态；

当所述访问操作为擦除操作时，判断所述擦除操作的对象块中是否包含处于老化状态的页，若是，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。

结合本发明实施例的第一方面，本发明实施例的第一方面的第一种实现方式中，所述方法还包括：

若所述读操作的对象页的ECC错误比特可纠正，则判断所述读操作的对象页的ECC错误比特值是否大于等于预置数值，若是，则记录所述读操作的对象页处于老化状态。

结合本发明实施例的第一方面，本发明实施例的第一方面的第二种实现方式中，所述方法还包括：

若所述擦除操作的对象块不包含处于老化状态的页，则执行擦除操作；

若所述擦除操作不成功，则停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。

结合本发明实施例的第一方面，本发明实施例的第一方面的第三种实现方式中，所述NAND闪存中每个存储单元大于或者等于2比特。

本发明实施例第二方面提供一种NAND闪存，包括：

确定模块，用于确定对NAND闪存的访问操作；

判断模块，用于当所述访问操作为读操作时，判断所述读操作的对象页的ECC错误比特是否可纠正；还用于当所述访问操作为擦除操作时，判断所述擦除操作的对象块中是否包含处于老化状态的页；

执行模块，用于当所述判断模块确定所述读操作的对象页的ECC错误比特可纠正时，记录所述读操作的对象页处于老化状态；还用于当所述判断模块确定所述擦除操作的对象块中包含处于老化状态的页时，停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。

结合本发明实施例的第二方面，本发明实施例的第二方面的第一种实现方式中，所述判断模块还用于当确定所述读操作的对象页的ECC错误比特可纠正时，判断所述读操作的对象页的ECC错误比特值是否大于等于预置数值；

所述执行模块还用于当所述判断模块确定所述读操作的对象页的ECC错误比特值大于等于预置数值时，记录所述读操作的对象页处于老化状态。

结合本发明实施例的第二方面，本发明实施例的第二方面的第二种实现方式中，所述执行模块还用于当所述判断模块确定所述擦除操作的对象块不包含处于老化状态的页，执行擦除操作；还用于在所述擦除操作不成功时，停止对所述擦除操作的对象块的后续使用。

结合本发明实施例的第二方面，本发明实施例的第二方面的第三种实现方式中，所述NAND闪存中每个存储单元大于或者等于2比特。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：