[发明专利]一种衬底与基板分离工艺、柔性显示器件及其制备工艺在审
| 申请号： | 201410609084.9 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104362077A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王磊;许志平;邹建华;徐苗;陶洪;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/46;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 分离 工艺 柔性 显示 器件 及其 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种衬底与基板分离工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在基板上制备柔性薄膜衬底；所述柔性薄膜衬底位于基板之上，并包覆基体的侧面；
(2)在柔性薄膜衬底上制备电子元件；
(3)沿着电子元件外围，从柔性薄膜衬底表面垂直向下切割，再将柔性薄膜衬底解离，获得柔性显示器件。
2.根据权利要求1所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于，步骤(1)所述柔性薄膜衬底与基板之间还设有牺牲层。
3.根据权利要求1或2所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于，步骤(1)所述柔性薄膜还包覆基体的下底面。
4.根据权利要求2所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于，所述牺牲层为碳单质薄膜、氮化物薄膜中的一种以上。
5.根据权利要求4所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于，所述碳单质为非晶碳、碳纳米管、石墨烯、富勒烯或类金刚石。
6.根据权利要求4所述的衬底与基板分离工艺，其特征在于，所述氮化物为氮化硅、氮化铝、氮化镓或氮化铟。
7.一种柔性显示器件的制备工艺，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的衬底与基板分离工艺。
8.一种柔性显示器件，其特征在于，由权利要求7所述的柔性显示器件的制备工艺制备而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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