[发明专利]集成电路制造方法

权利要求书

1.一种集成电路制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

在半导体衬底上形成氧化层；

在第二区域上覆盖光刻胶；

以光刻胶为掩膜去除第一区域的氧化层；

去除第二区域的光刻胶；

分别在第一区域形成第一集成电路、在第二区域的氧化层上形成电阻和电 容。

2.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，所述氧化层的 厚度大于0.8微米。

3.根据权利要求2所述的集成电路制造方法，其特征在于，分别在第一区 域形成第一集成电路、在第二区域的氧化层上形成电阻和电容的具体步骤包括：

在第一区域形成第一集成电路；

生成多晶层并对多晶层进行掺杂；

将掺杂后的多晶层进行光刻及腐蚀形成第二区域的电阻；

将所述多晶层作为一个极板，将所述半导体衬底作为另一个极板，形成第 二区域的电容。

4.一种集成电路制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

在半导体衬底上依次形成第一氧化层和氮化硅层；

在第二区域上覆盖光刻胶；

以光刻胶为掩膜去除第一区域的氮化硅层；

去除第二区域的光刻胶；

在第一区域形成第二氧化层；

去除第二区域的氮化硅层；

分别在第二区域形成第一集成电路、在第一区域的第二氧化层上形成电阻 和电容。

5.根据权利要求4所述的集成电路制造方法，其特征在于，所述第一氧化 层的厚度小于0.1微米，所述第二氧化层的厚度大于0.8微米。

6.根据权利要求4所述的集成电路制造方法，其特征在于，分别在第二区 域形成第一集成电路、在第一区域的第二氧化层上形成电阻和电容的步骤具体 包括：

在第二区域形成第一集成电路；

生成多晶层并对多晶层进行掺杂；

将掺杂后的多晶层进行光刻及腐蚀形成第一区域的电阻；

将所述多晶层作为一个极板，将所述半导体衬底作为另一个极板，形成第 一区域的电容。

7.一种集成电路制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；

在半导体衬底上形成绝缘介质层；

在第二区域上覆盖光刻胶；

以光刻胶为掩膜去除第一区域的绝缘介质层；

以光刻胶为掩模在第一区域形成沟槽；

去除第二区域的光刻胶；

在所述沟槽里填充绝缘介质层并去除所述半导体衬底以上的绝缘介质层；

分别在第二区域形成第一集成电路、在第一区域的绝缘介质层上形成电阻 和电容。

8.根据权利要求7所述的集成电路制造方法，其特征在于，所述绝缘介质 层的厚度大于0.8微米。

9.根据权利要求7所述的集成电路制造方法，其特征在于，分别在第二区 域形成第一集成电路、在第一区域的绝缘介质层上形成电阻和电容的步骤具体 包括：

在第二区域形成第一集成电路；

生成多晶层并对多晶层进行掺杂；

将掺杂后的多晶层进行光刻及腐蚀形成第一区域的电阻；

将所述多晶层作为一个极板，将所述半导体衬底作为另一个极板，形成第 一区域的电容。

10.根据权利要求7所述的集成电路制造方法，其特征在于，所述绝缘介 质层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅和氮化硅的混合物、氮氧化硅 和氮化硅的混合物或者二氧化硅和氮氧化硅的混合物。