[发明专利]一种FinFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410612511.9 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105632929A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞;尹海洲;李睿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种FinFET器件制造方法，包括：
a.提供衬底(100)，衬底(100)上具有鳍片(200)；
b.在所述鳍片(200)两侧的衬底(100)上形成第一浅沟槽隔离(300)；
c.形成栅极结构(400)覆盖所述鳍片(200)的中部；
d.在所述栅极结构(400)两侧的第一浅沟槽隔离(300)上方形成 第二浅沟槽隔离(310)；
e.在所述鳍片(200)两端分别形成源区、漏区。
2.根据权利要求1所述的FinFET器件制造方法，其特征在于，在步骤 c之前，还包括步骤f：在与第一浅沟槽隔离(300)相邻的鳍片(200) 中形成穿通阻挡层(220)。
3.根据权利要求2所述的FinFET器件制造方法，其特征在于，通过侧 向散射形成所述穿通阻挡层。
4.根据权利要求1所述的FinFET器件制造方法，其特征在于，所述第 一浅沟槽隔离(300)的厚度大于等于40nm。
5.根据权利要求1所述的FinFET器件制造方法，其特征在于，所述第 二浅沟槽隔离(310)的厚度为10～40nm。
6.根据权利要求2所述的FinFET器件制造方法，其特征在于，所述鳍 片(200)被栅极结构(400)覆盖的区域形成FinFET器件的沟道区。
7.根据权利要求1所述的FinFET器件制造方法，其特征在于，在步骤 c中，所述栅极结构(400)为伪栅叠层。
8.一种FinFET器件，包括：
衬底(100)；
鳍片(200)，位于所述衬底(100)上方；
第一浅沟槽隔离(300)，位于所述鳍片(200)两侧的衬底(100) 上；
栅极结构(400)，位于所述第一浅沟槽隔离(300)上方，包裹所 述鳍片(200)；
第二浅沟槽隔离(310)，位于所述栅极叠层(400)两侧的第一浅 沟槽隔离(300)上方；
源区、漏区，分别位于栅极叠层(400)两侧的鳍片(200)两端。
9.根据权利要求7所述的FinFET器件，其特征在于，所述第一浅沟槽 隔离(300)的厚度大于等于40nm。
10.根据权利要求7所述的FinFET器件，其特征在于，所述第二浅沟 槽隔离(310)的厚度为10～40nm。
11.根据权利要求7所述的FinFET器件，其特征在于，所述鳍片(200) 被栅极结构(400)覆盖的区域形成FinFET器件的沟道区。
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