[发明专利]制造装置基板的方法及使用该方法制造的显示装置在审
申请号: | 201410612554.7 | 申请日: | 2014-11-04 |
公开(公告)号: | CN104658884A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 金泰焕;金明姬;金永培;金钟声;朴明焕;李锺焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/12;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 装置 方法 使用 显示装置 | ||
1.一种制造装置基板的方法,所述方法包括下述步骤:
在处理基板上形成表面修饰层,其中,表面修饰层具有与处理基板的疏水性不同的疏水性;
将处理基板设置在载体基板上,其中,表面修饰层被设置在处理基板和载体基板之间;
在处理基板上形成装置;以及
将处理基板与载体基板分离。
2.如权利要求1所述的方法,其中,表面修饰层的疏水性大于处理基板的疏水性。
3.如权利要求2所述的方法,其中,表面修饰层包括硅烷化合物。
4.如权利要求3所述的方法,其中,硅烷化合物包括六甲基二硅氧烷。
5.如权利要求3所述的方法,其中,形成表面修饰层的步骤包括:
在处理基板上形成包括自组装单层的硅烷化合物层;以及
清洁处理基板。
6.如权利要求2所述的方法,其中,表面修饰层包括金属氧化物。
7.如权利要求6所述的方法,其中,金属氧化物包括氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌或氧化锗锌。
8.如权利要求2所述的方法,其中,表面修饰层包括:
硅烷化合物层,设置在处理基板上,其中,硅烷化合物层包括硅烷化合物;以及
金属氧化物层,设置在处理基板和硅烷化合物层之间,其中,金属氧化物层包括金属氧化物。
9.如权利要求8所述的方法,其中,硅烷化合物包括六甲基二硅氧烷。
10.如权利要求8所述的方法,其中,金属氧化物包括氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌或氧化锗锌。
11.如权利要求1所述的方法,其中,当从平面图观察时,表面修饰层设置在处理基板的至少一部分上,
其中,处理基板包括其上设置有表面修饰层的第一区域和其上未设置表面修饰层的第二区域。
12.如权利要求11所述的方法,其中,第二区域沿着处理基板的边缘设置。
13.如权利要求11所述的方法,其中,第一区域设置在处理基板的边缘的一部分上。
14.如权利要求11所述的方法,其中,第一区域通过处理基板的中心并沿与处理基板的边平行的方向延伸。
15.如权利要求2所述的方法,所述方法还包括除去表面修饰层的一部分。
16.如权利要求15所述的方法,其中,通过刻蚀工艺或研磨工艺除去表面修饰层的所述一部分。
17.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一基板,包括彼此相对的第一表面和第二表面;
像素,设置在第一表面上;以及
第一表面修饰层,设置在第二表面上,其中,第一表面修饰层具有与第一基板的疏水性不同的疏水性。
18.如权利要求17所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第二基板,包括面对第一基板的第三表面和与第三表面相对的第四表面;以及
第二表面修饰层,设置在第四表面上,其中,第二表面修饰层具有与第二基板的疏水性不同的疏水性。
19.如权利要求18所述的显示装置,其中,第二表面修饰层包括包含金属氧化物的金属氧化物层。
20.如权利要求19所述的显示装置,其中,金属氧化物包括氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌或氧化锗锌。
21.如权利要求20所述的显示装置,其中,第二表面修饰层接地。
22.如权利要求21所述的显示装置,其中,像素包括:
第一电极,设置在第一基板上;
第二电极,设置在第二基板上,其中,第二电极与第一电极绝缘,第一电极和第二电极被构造成产生电场;以及
液晶层,设置在第一基板和第二基板之间。
23.如权利要求19所述的显示装置,其中,第二表面修饰层还包括硅烷化合物层。
24.如权利要求23所述的显示装置,其中,硅烷化合物包括六甲基二硅氧烷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造