[发明专利]制造装置基板的方法及使用该方法制造的显示装置在审
申请号: | 201410612554.7 | 申请日: | 2014-11-04 |
公开(公告)号: | CN104658884A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 金泰焕;金明姬;金永培;金钟声;朴明焕;李锺焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/12;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 装置 方法 使用 显示装置 | ||
本申请要求于2013年11月15日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0139186号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种装置基板,更具体地讲,涉及一种制造装置基板的方法以及使用该方法制造的显示装置。
背景技术
使用平板显示面板(例如,液晶显示(LCD)面板、场发射显示(FED)面板、等离子体显示面板(PDP)或有机发光二极管(OLED)面板)的显示装置可以应用于电视机和/或移动电话。可以使用不可弯曲的玻璃基板制造显示装置。已经进行了制造柔性显示装置的研究。例如,柔性材料(例如,塑料)可以替代不具有柔性的传统玻璃基板,并且可以被用在弯曲或曲形的显示装置中。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供制造柔性装置基板的方法以及使用该方法制造的显示装置。
根据本发明构思的示例性实施例,制造装置基板的方法包括在处理基板上形成表面修饰层。表面修饰层具有与处理基板的疏水性不同的疏水性。所述方法包括将处理基板设置在载体基板上。表面修饰层被设置在处理基板和载体基板之间。所述方法包括在处理基板上形成装置以及将处理基板与载体基板分离。
表面修饰层的疏水性可以大于处理基板的疏水性。
表面修饰层可以包括硅烷化合物。硅烷化合物可以包括六甲基二硅氧烷(HMDS)。
形成表面修饰层的步骤可以包括在处理基板上形成包括自组装单层的硅烷化合物层以及清洁处理基板。
表面修饰层可以包括金属氧化物。金属氧化物可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化锗锌(GZO)。
表面修饰层可以包括设置在处理基板上的硅烷化合物层。硅烷化合物层可以包括硅烷化合物。可以在处理基板与硅烷化合物层之间设置金属氧化物层。金属氧化物层可以包括金属氧化物。
当从平面图观察时,表面修饰层可以设置在处理基板的至少一部分上。处理基板可以包括:其上设置有表面修饰层的第一区域和其上未设置表面修饰层的第二区域。第二区域可以沿着处理基板的边缘设置。第一区域可以设置在处理基板的边缘的一部分上。第一区域可以通过处理基板的中心并可以沿与处理基板的边平行的方向延伸。
可以除去表面修饰层的一部分。可以通过刻蚀工艺或研磨工艺除去表面修饰层的所述一部分。
根据本发明的示例性实施例,显示装置包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的第一基板。像素设置在第一表面上。第一表面修饰层设置在第二表面上。第一表面修饰层具有与第一基板的疏水性不同的疏水性。
显示装置还可以包括具有面对第一基板的第三表面和与第三表面相对的第四表面的第二基板。第二表面修饰层可以设置在第四表面上。第二表面修饰层可以具有与第二基板的疏水性不同的疏水性。
第二表面修饰层可以包括金属氧化物层。金属氧化物层可以包括金属氧化物。
表面修饰层可以接地。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例,本发明构思的上述和其他特征将变得更明显,在附图中:
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法的流程图;
图2A至图2D是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法的剖视图;
图3是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中的根据表面修饰层的存在的处理基板的接触角的图表;
图4是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中当执行热退火工艺时在处理基板与载体基板之间的粘合强度的图表;
图5是示出粘合强度测量设备的示意图;
图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造包括表面修饰层的装置基板的方法的剖视图;
图7是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中当执行热退火工艺时在处理基板与载体基板之间的粘合强度的图表;
图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造包括表面修饰层的装置基板的方法的剖视图;
图9是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中当执行热退火工艺时在处理基板与载体基板之间的粘合强度的图表;
图10A至图10C是示出根据本发明构思的示例性实施例的形成在处理基板的一部分上的表面修饰层的位置的示例的平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造